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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-0003026 (2012-01-10) | |
공개번호 | 10-2013-0081918 (2013-07-18) | |
등록번호 | 10-1328569-0000 (2013-11-06) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120003026 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2012-01-10) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 광에너지를 측정하기 위해 쇼트키 다이오드 상에 유기염료 분자층이 증착되어 있는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 핫전자 기반의 나노다이오드 센서는 광반응을 쇼트키 다이오드를 이용하여 직접적으로 측정함으로써, 간단한 공정으로 나노다이오드 센서의 신뢰도와 민감도를 향상시킬 수 있고, 우수한 내구성으로 센서의 수명을 증가시킬 수있다.
다음을 포함하는, 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 :기판 상에 서로 이격되어 배치된 제 1전극 및 제 2전극;상기 기판상에 배치되며, 상기 제 1전극 일측 경계면에 형성된 산화물 박막층;상기 산화물 박막층과 제 2전극을 연결하는 금속 박막층; 및상기 금속 박막층 상에 증착되어 화학반응 또는 광반응에서 핫전자를 생성하는 유기염료 분자층.
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