초록 ▼

본 발명은 반도체 프로세스 기술중 표면처리기술에서의 막코팅을 행하는 마그네트론 스퍼터 장치에 관한 것으로, 진공조(10)와 이 진공조(10)안에 형성된 타게트(16), 이 타게트(16)와 평행한 자계(22), 자계(22)를 발생시키는 영구자석(18), 상기 타게트(16)와 대향 배치된 기판장착대, 자계(22)와 직교하는 전계(24), 전계(24)를 발생시키는 전원, 플라즈마를 발생시키기 위한 도입가스, 영구자석(18)의 자기회로를 구성하는 요우크(20)로 구성된 스퍼터 장치에 있어서, 상기 기판장착대가, 회전통(12)과 이 회전통(

본 발명은 반도체 프로세스 기술중 표면처리기술에서의 막코팅을 행하는 마그네트론 스퍼터 장치에 관한 것으로, 진공조(10)와 이 진공조(10)안에 형성된 타게트(16), 이 타게트(16)와 평행한 자계(22), 자계(22)를 발생시키는 영구자석(18), 상기 타게트(16)와 대향 배치된 기판장착대, 자계(22)와 직교하는 전계(24), 전계(24)를 발생시키는 전원, 플라즈마를 발생시키기 위한 도입가스, 영구자석(18)의 자기회로를 구성하는 요우크(20)로 구성된 스퍼터 장치에 있어서, 상기 기판장착대가, 회전통(12)과 이 회전통(12) 상부 중심부에서 소정거리 이격된 위치에 구비된 기판흡입판(14)으로 이루어진 것을 특징으로 하여, 종래의 타게트 하부에 고정된 기판흡착대가 회전통과 이 회전통 중심축에서 소정거리만큼 치우치게 구비된 기판흡착판으로 이루어지므로써, 기판이 밀도가 높은 플라즈마 영역 하부로 지나게 하여 균일하게 퇴적되게 할 수 있으면서도, 보다 효율적으로 퇴적시킬 수 있게 된 것이다.

대표청구항 ▼

진공조(10)와 이 진공조(10)안에 형성된 타게트(16), 이 타게트(16)와 평행한 자계(22), 자계(22)를 발생시키는 영구자석(18), 상기 타게트(16)와 대향 배치된 기판장착대, 자계(22)와 직교하는 전계(24), 전계(24)를 발생시키는 전원, 플라즈마를 발생시키기 위한 도입가스, 영구자석(18)의 자기회로를 구성하는 요우크(20)로 구성된 스퍼터 장치에 있어서, 상기 기판장착대가, 회전통(12)과 이 회전통(12) 상부 중심부에서 소정거리 이격된 위치에 구비된 기판흡입판(14)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼

진공조(10)와 이 진공조(10)안에 형성된 타게트(16), 이 타게트(16)와 평행한 자계(22), 자계(22)를 발생시키는 영구자석(18), 상기 타게트(16)와 대향 배치된 기판장착대, 자계(22)와 직교하는 전계(24), 전계(24)를 발생시키는 전원, 플라즈마를 발생시키기 위한 도입가스, 영구자석(18)의 자기회로를 구성하는 요우크(20)로 구성된 스퍼터 장치에 있어서, 상기 기판장착대가, 회전통(12)과 이 회전통(12) 상부 중심부에서 소정거리 이격된 위치에 구비된 기판흡입판(14)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터 장치.