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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1996-0081179 (1996-12-31) |
공개번호 | 10-1998-0061802 (1998-10-07) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960081179 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1996-12-31) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 반도체소자의 PN 접합구조에 관한 것으로, P형과 N형 반도체 접합을 포함하여 구성되는 반도체소자에 있어서, 상기 접합이, 반도체형이 서로 다른 상부층(10)과 하부층(12)으로 이루어진 것이 서로 평면결합하는 것을 특징으로 하여, 종래의 원주형 접합을 거의 평면상으로 형성할 수 있게 되고 항복전압을 높일 수 있게 된 것이다.
P형과 N형 반도체 접합을 포함하여 구성되는 반도체소자에 있어서, 상기 접합이, 반도체형이 서로 다른 상부층(10)과 하부층(12)으로 이루어진 것이 서로 평면결합된 것을 특징으로 하는 반도체소자.
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