[특허]반도체 소자의 실리사이드층 형성방법

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반도체 소자의 실리사이드층 형성방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/28
출원번호	10-1996-0074977 (1996-12-28)
공개번호	10-1998-0055741 (1998-09-25)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019960074977
발명자 / 주소	최승봉 / 경기도 이천시 대월면 사동리 **- 현대전자아파트 *동 호 김천수 / 경기도 이천시 창전동 현대아파트 -*
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	신영무; 최승민 (SHIN, Young Moo) 서울 중구 순화동 -** 에이스타워 층; 서울 중구 순화동 -*** 에이스타워 *층
심사청구여부	있음 (1996-12-28)
심사진행상태	거절결정(일반)
법적상태	거절

초록

본 발명은 반도체 소자의 실리사이드층 형성방법을 제공하는 것으로, 소정의 공정을 거쳐 실리콘 기판 상에 게이트 전극 및 접합영역을 형성한 후 전체 상부면에 티타늄을 증착하고, 열처리 공정으로 티타늄 실리사이드층을 형성한 다음 게이트 전극 양 측벽의 절연막 스페이서 상부에 반응하지 않은 티타늄층을 제거하므로써 미세 회로 패턴 형성시 접속저항 및 전도성의 향상으로 인하여 공정마진을 확보할 수 있는 효과가 있다.

대표청구항

반도체 소자의 실리사이드층 형성방법에 있어서,실리콘기판 상에 게이트 전극 및 접합영역을 형성한 후 게이트 전극 및 접합영역의 상부에 자연적으로 성장된 자연 산화막을 제 1 세정공정으로 제거하는 단계와,상기 실리콘기판의 전체 상부면에 티타늄층을 형성하는 단계와,상기 실리콘기판에 열처리 공정을 실시하는 단계와,상기 실리콘기판의 전체 상부면에 제 2 세정공정을 실시하여 상기 게이트 전극 양 측벽의 절연막 스페이서 상부에 형성된 티타늄층을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드층 형성방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

[일본] MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE | HIGUCHI TOSHIHIKO
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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