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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1996-0075202 (1996-12-28) |
공개번호 | 10-1998-0055965 (1998-09-25) |
등록번호 | 10-0439050-0000 (2004-06-25) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960075202 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-11-27) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 티타늄 나이트라이드막(Tin film) 제조방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 제조공정중 티타늄 나이트라이드막 형성공정시 저온에서 TDMAT(Tetrakis Di-Methyl Amino Titanium)나 TDEAT(Tetrakis Di-ethyl Amino Titanium) 등의 소오스를 이용한 열분해 반응으로 티타늄 나이트라이드막을 일정두께로 먼저 증착하고, 고온에서 TiCl4/N2 나 TiCl4/NH3 가스를 이용하여 나머지 두께를 증착하여 물성이 우수한 티타늄 나이트라이드막을 제조하는 방법에 관하여 기술된다.
반도체 소자의 티타늄 나이트라이드막 제조방법에 있어서,TDMAT 및 TDEAT 소오스 중 어느 하나를 이용하여 제 1 티타늄 나이트라이드막을 증착하고, TiCl4/N2 및 TiCl4/NH3 중 어느 하나를 이용하여 상기 제 1 티타늄 나이트라이드막상에 제 2 티타늄 나이트라이드막을 증착하는 2단계 증착법으로 티타늄 나이트라이드막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 티타늄 나이트라이드막 제조방법.
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