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티타늄 나이트라이드 막 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/28
출원번호 10-1996-0075202 (1996-12-28)
공개번호 10-1998-0055965 (1998-09-25)
등록번호 10-0439050-0000 (2004-06-25)
DOI http://doi.org/10.8080/1019960075202
발명자 / 주소
  • 최경근 / 경기도 수원시 장안구 화서동 ***-***
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 신영무; 최승민 (SHIN, Young Moo)
  • 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층; 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층
심사청구여부 있음 (2001-11-27)
심사진행상태 등록결정(심사전치후)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 티타늄 나이트라이드막(Tin film) 제조방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 제조공정중 티타늄 나이트라이드막 형성공정시 저온에서 TDMAT(Tetrakis Di-Methyl Amino Titanium)나 TDEAT(Tetrakis Di-ethyl Amino Titanium) 등의 소오스를 이용한 열분해 반응으로 티타늄 나이트라이드막을 일정두께로 먼저 증착하고, 고온에서 TiCl4/N2 나 TiCl4/NH3 가스를 이용하여 나머지 두께를 증착하여 물성이 우수한 티타늄 나이트라이드막을 제조하는 방법에 관하여 기술된다.

대표청구항

반도체 소자의 티타늄 나이트라이드막 제조방법에 있어서,TDMAT 및 TDEAT 소오스 중 어느 하나를 이용하여 제 1 티타늄 나이트라이드막을 증착하고, TiCl4/N2 및 TiCl4/NH3 중 어느 하나를 이용하여 상기 제 1 티타늄 나이트라이드막상에 제 2 티타늄 나이트라이드막을 증착하는 2단계 증착법으로 티타늄 나이트라이드막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 티타늄 나이트라이드막 제조방법.

발명자의 다른 특허 :

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