[특허]질화티타늄막을 이용한 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법

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질화티타늄막을 이용한 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-027/108
출원번호	10-1998-0024753 (1998-06-29)
공개번호	10-2000-0003511 (2000-01-15)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019980024753
발명자 / 주소	송한상 / 경기도 용인시 수지읍 죽전리 *번지 벽산아파트 -** 임찬 / 경기도 이천시 대월면 사동리 현대산업개발 차아파트 -**
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	특허법인 신성 (Shinsung Patent Firm) 서울 송파구 가락동 *-번지 타워 *호
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록 ▼

본 발명은 유전막의 두께를 감소시켜 정전용량을 증가시킴과 동시에 누설전류의 증가를 방지하고, 정전용량의 변화량을 줄일 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법에 관한 것으로, Ta2O5 유전막을 갖는 캐패시터의 하부전극과 상부전극을 TiN막으로 형성하여, 하부전극 및 상부전극이 금속막으로 이루어지는 MIM(metal-insulator-metal) 구조의 캐패시터를 형성하는데 그 특징이 있다. Ta2O5막과 폴리실리콘막의 일함수 차보다 Ta2O5막과 TiN막의 일함수 차가 크기 때문에, 동일한 두께의 유효산화막을 형성하더라도 누설전류를 줄일 수 있고, 하부전극 및 상부전극으로 금속막을 사용함으로써 바이어스 전압에 따른 정전용량의 변화량을 줄일 수 있으며, 동일한 크기의 누설전류가 발생하는 조건에서 보다 얇은 유효산화막 두께로 유전막을 형성하여 정전용량을 증가시킬 수 있다.

대표청구항

반도체 소자의 캐패시터 형성 방법에 있어서,상기 캐패시터의 하부전극을 이루는 제1 TiN막을 형성하는 제1 단계;상기 제1 TiN막 상에 Ta2O5막을 형성하는 제2 단계; 및 상기 Ta2O5막 상에 상부전극을 형성하는 제3 단계를 포함하는 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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