초록 ▼

본 발명의 GaN 단결정 제조 방법은, Si 기판위에 SiC 박막을 형성하는 단계와, 상기 SiC 박막의 Si 결정면위에 GaN 버퍼층 또는 AlGaN 버퍼층을 적층하는 단계와, 상기 GaN 버퍼층 위에 상기 GaN 버퍼층을 형성시키는 온도보다 높은 온도에서 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계, 및 상기 GaN 성장이 완료된 후, 상기 Si 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 사파이어 또는 SiC 기판을 사용할 때 발생되는 결함 또는 크랙을 방지할 수 있으며, 고품질의 GaN 박막을 얻을 수 있다

본 발명의 GaN 단결정 제조 방법은, Si 기판위에 SiC 박막을 형성하는 단계와, 상기 SiC 박막의 Si 결정면위에 GaN 버퍼층 또는 AlGaN 버퍼층을 적층하는 단계와, 상기 GaN 버퍼층 위에 상기 GaN 버퍼층을 형성시키는 온도보다 높은 온도에서 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계, 및 상기 GaN 성장이 완료된 후, 상기 Si 기판을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 사파이어 또는 SiC 기판을 사용할 때 발생되는 결함 또는 크랙을 방지할 수 있으며, 고품질의 GaN 박막을 얻을 수 있다.

대표청구항

(가) Si 기판위에 SiC 박막을 형성하는 단계;(나) 상기 SiC 박막의 Si 결정면위에 GaN 버퍼층을 적층하는 단계;(다) 상기 GaN 버퍼층위에 상기 GaN 버퍼층을 형성시키는 온도보다 높은 온도에서 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계; 및(라) 상기 GaN 성장이 완료된 후, 상기 Si 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 단결정 제조 방법.

(가) Si 기판위에 SiC 박막을 형성하는 단계;(나) 상기 SiC 박막의 Si 결정면위에 GaN 버퍼층을 적층하는 단계;(다) 상기 GaN 버퍼층위에 상기 GaN 버퍼층을 형성시키는 온도보다 높은 온도에서 GaN 단결정 박막을 성장시키는 단계; 및(라) 상기 GaN 성장이 완료된 후, 상기 Si 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 단결정 제조 방법.