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화학증폭형 레지스트 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/312
출원번호 10-1997-0050824 (1997-10-01)
공개번호 10-1999-0030569 (1999-05-06)
DOI http://doi.org/10.8080/1019970050824
발명자 / 주소
  • 김창환 / 제주도 남제주군 성산읍 난산리 ***번지
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 임창현 (YIM, Chang Hyun)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** *층 (고려국제특허법률사무소)
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 다음 화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.식중 m은 50∼100이고, n은 0∼50이다.이와 같은 본 발명의 레지스트 조성물을 적용하면, 광원의 조사(照射)시 노광부 및 비노광부의 선택비가 크고, 보호기에 의하여 실리레이션을 콘트롤할 수 있으며, 화학증폭형의 특성을 가지는 한편, DUV인 ArF를 광원으로 사용하는 경우에 7mJ/cm2 정도의 작은 에너지로도 네가티브형 TSI(Top-Surface-Image)를 구현할 수 있게 된다.

대표청구항

화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물.화학식 1식중 m은 50∼100이고, n은 0∼50이다.

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