초록 ▼

본 발명은 반도체소자의 듀얼게이트 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 듀얼게이트의 게이트산화막 두께가 일정하기 때문에 각 반도체소자의 동작전압을 서로 다르게 인가하기가 어려운 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 반도체기판의 상부에 제1산화막과 도핑되지 않은 폴리실리콘을 차례로 증착한 후, 그 도핑되지 않은 폴리실리콘에 질소이온을 주입하는 단계와; 사진식각공정을 이용하여 상기 질소이온이 주입된 폴리실리콘의 일부를 식각한 후, 열처리를 통해 상기 질소이온을 확산시켜 폴리실리콘 하부의 반도체기판에 제1질화막을 형성하는 단

본 발명은 반도체소자의 듀얼게이트 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 듀얼게이트의 게이트산화막 두께가 일정하기 때문에 각 반도체소자의 동작전압을 서로 다르게 인가하기가 어려운 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 반도체기판의 상부에 제1산화막과 도핑되지 않은 폴리실리콘을 차례로 증착한 후, 그 도핑되지 않은 폴리실리콘에 질소이온을 주입하는 단계와; 사진식각공정을 이용하여 상기 질소이온이 주입된 폴리실리콘의 일부를 식각한 후, 열처리를 통해 상기 질소이온을 확산시켜 폴리실리콘 하부의 반도체기판에 제1질화막을 형성하는 단계와; 상기 질소이온이 주입된 폴리실리콘과 제1산화막을 제거한 후, 산화공정을 통해 반도체기판 및 제1질화막의 상부에 제2산화막을 형성하는 단계와; 상기 제2산화막의 상부에 도핑된 폴리실리콘, 텅스텐산화막, 제2질화막을 차례로 증착한 후, 사진식각공정을 통해 제2질화막, 텅스텐산화막, 도핑된 폴리실리콘, 제2산화막의 일부를 순차적으로 식각하여 게이트를 형성하는 단계로 이루어지는 반도체소자의 듀얼게이트 제조방법을 통해 듀얼게이트의 게이트산화막을 서로다른 두께로 형성시킴으로써, 서로다른 동작전압을 필요로 하는 반도체소자의 제조가 편리한 효과가 있다.

대표청구항 ▼

반도체기판의 상부에 제1산화막과 도핑되지 않은 폴리실리콘을 차례로 증착한 후, 그 도핑되지 않은 폴리실리콘에 질소이온을 주입하는 단계와; 사진식각공정을 이용하여 상기 질소이온이 주입된 폴리실리콘의 일부를 식각한 후, 열처리를 통해 상기 질소이온을 확산시켜 폴리실리콘 하부의 반도체기판에 제1질화막을 형성하는 단계와; 상기 질소이온이 주입된 폴리실리콘과 제1산화막을 제거한 후, 산화공정을 통해 반도체기판 및 제1질화막의 상부에 제2산화막을 형성하는 단계와; 상기 제2산화막의 상부에 도핑된 폴리실리콘, 텅스텐산화막, 제2질화막을 순차적으

반도체기판의 상부에 제1산화막과 도핑되지 않은 폴리실리콘을 차례로 증착한 후, 그 도핑되지 않은 폴리실리콘에 질소이온을 주입하는 단계와; 사진식각공정을 이용하여 상기 질소이온이 주입된 폴리실리콘의 일부를 식각한 후, 열처리를 통해 상기 질소이온을 확산시켜 폴리실리콘 하부의 반도체기판에 제1질화막을 형성하는 단계와; 상기 질소이온이 주입된 폴리실리콘과 제1산화막을 제거한 후, 산화공정을 통해 반도체기판 및 제1질화막의 상부에 제2산화막을 형성하는 단계와; 상기 제2산화막의 상부에 도핑된 폴리실리콘, 텅스텐산화막, 제2질화막을 순차적으로 증착한 후, 사진식각공정을 통해 제2질화막, 텅스텐산화막, 도핑된 폴리실리콘, 제2산화막의 일부를 순차적으로 식각하여 게이트를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼게이트 제조방법.