초록 ▼

본 발명은 반도체 제조 장비의 파티클 검출 방법에 관한 것이다.종래의 반도체 제조 장비중 스퍼터링 장비의 파티클을 검출하기 위해 사용되는 실리콘 베어 웨이퍼는 대기중에 노출될 경우 실리콘 원자가 다른 원자와 쉽게 결합하여 박막 증착시 비정상 성장핵을 쉽게 하여 박막 증착 후 웨이퍼 표면이 거칠게 되므로 파티클 검출 과정에서 이러한 웨이퍼 표면을 파티클로 인식하여 정확한 파티클의 측정에 어려움이 있다. 또한, 열산화막 웨이퍼의 경우 표면에 이물질의 흡착에 의한 박막 증착시 비정상 성장핵 형성을 쉽게 하여 박막 증착 후 웨이퍼 표면이

본 발명은 반도체 제조 장비의 파티클 검출 방법에 관한 것이다.종래의 반도체 제조 장비중 스퍼터링 장비의 파티클을 검출하기 위해 사용되는 실리콘 베어 웨이퍼는 대기중에 노출될 경우 실리콘 원자가 다른 원자와 쉽게 결합하여 박막 증착시 비정상 성장핵을 쉽게 하여 박막 증착 후 웨이퍼 표면이 거칠게 되므로 파티클 검출 과정에서 이러한 웨이퍼 표면을 파티클로 인식하여 정확한 파티클의 측정에 어려움이 있다. 또한, 열산화막 웨이퍼의 경우 표면에 이물질의 흡착에 의한 박막 증착시 비정상 성장핵 형성을 쉽게 하여 박막 증착 후 웨이퍼 표면이 거칠게 되므로 파티클 검출 과정에서 이러한 웨이퍼 표면을 파티클로 인식하여 정확한 파티클의 측정에 어려움이 있다. 본 발명에서는 실리콘 베어 웨이퍼 상에 산화막을 일정 두께 형성하고, 이를 RF 식각하여 산화막이 식각되는 동시에 웨이퍼 표면은 흡착된 이물질의 제거와 함께 평탄해져 표면 거칠기에 의한 파티클 오류를 줄일 수 있다.

대표청구항

베어 웨이퍼에 산화막을 증착하는 단계와,상기 산화막이 증착된 베어 웨이퍼를 식각 타겟으로 챔버에 장착하는 단게와,상기 챔버에 불활성 가스를 주입하고 고주파 바이어스를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 단계와,상기 플라즈마에 의해 상기 베어 웨이퍼에 증착된 산화막이 식각되면서 표면에 흡착된 이물질이 제거되는 동시에 표면이 평탄해지는 단계와,상기 평탄해진 웨이퍼로 파티클을 검출하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 파티클 검출 방법.

베어 웨이퍼에 산화막을 증착하는 단계와,상기 산화막이 증착된 베어 웨이퍼를 식각 타겟으로 챔버에 장착하는 단게와,상기 챔버에 불활성 가스를 주입하고 고주파 바이어스를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 단계와,상기 플라즈마에 의해 상기 베어 웨이퍼에 증착된 산화막이 식각되면서 표면에 흡착된 이물질이 제거되는 동시에 표면이 평탄해지는 단계와,상기 평탄해진 웨이퍼로 파티클을 검출하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 파티클 검출 방법.