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반도체 공정은 먼지와의 전쟁이라고 할 만큼 먼지에 민감하다. 최근 몇 년간 반도체 설계규정이 축소되면서 과거에는 문제가 되지 않았던 결함이 생산량에 영향을 미치기 때문에 새로운 문제가 되고 있다. 따라서 반도체 검사기술은 결함관리를 위한 고정밀 고효율 기술이 개발되었습니다. 결함검출은 반도체 검사장비, 반도체 가공, 결함을 종합적으로 파악하여 효과적으로 검출할 수 있습니다. 연구주제의 이유는 반도체 검사장비의 기어수명 연장을 위한 재료의 성질을 연구하는데 있어서 레이놀즈 방정식을 연구하기 위해서였다. 우리는 우리 작업의 탐지 능력을 향상시키는 비패턴 검사 장치를 선택했다. 저밀도 반도체에서 30 nm 입자 검출을 목표로 조건 비교 결과에 의해 최적의 시험 ...

반도체 공정은 먼지와의 전쟁이라고 할 만큼 먼지에 민감하다. 최근 몇 년간 반도체 설계규정이 축소되면서 과거에는 문제가 되지 않았던 결함이 생산량에 영향을 미치기 때문에 새로운 문제가 되고 있다. 따라서 반도체 검사기술은 결함관리를 위한 고정밀 고효율 기술이 개발되었습니다. 결함검출은 반도체 검사장비, 반도체 가공, 결함을 종합적으로 파악하여 효과적으로 검출할 수 있습니다. 연구주제의 이유는 반도체 검사장비의 기어수명 연장을 위한 재료의 성질을 연구하는데 있어서 레이놀즈 방정식을 연구하기 위해서였다. 우리는 우리 작업의 탐지 능력을 향상시키는 비패턴 검사 장치를 선택했다. 저밀도 반도체에서 30 nm 입자 검출을 목표로 조건 비교 결과에 의해 최적의 시험 매개변수가 실제 장비에 적용되었다. 비패턴 검사 장비의 탐지 기능을 개선했습니다. 이미지 분석 및 결함시뮬레이션을 통한 평가 결과를 바탕으로 30nm 입자 검출력 향상을 연구해 왔습니다. 반도체 장비 파라미터의 파장 편광 입사각 및 실제 장비의 산란 신호 획득과 같은 인자 분석을 통해 최적의 검출력 조건을 찾고 결함 검출에 기여하였다. 그 결과 P분극화를 이용한 266nm 파장 및 P사분극 조건 실험 시 검출력이 크게 달라졌으며 30nm 입자가 검출되어 수율 향상에 기여하였다.

Abstract ▼ AI-Helper

The semiconductor process is dust-sensitive enough to be said to be a war against dust. As semiconductor design rules have become smaller in recent years, defects that have not been a problem in the past have become a new problem because they affect the yield. Therefore, semiconductor inspection tec...

The semiconductor process is dust-sensitive enough to be said to be a war against dust. As semiconductor design rules have become smaller in recent years, defects that have not been a problem in the past have become a new problem because they affect the yield. Therefore, semiconductor inspection technology has been developed for high-precision and high-efficiency technology to manage defects. Defect detection can be effectively detected by having a comprehensive understanding of semiconductor inspection equipment, semiconductor processing, and defect. The reason for the research topic was to study the Reynolds equation in studying the material properties for the extension of the gear life of semiconductor inspection equipment. We selected the non-pattern inspection device which improved the detection ability of our work. The optimal test parameters were applied to the actual equipment by the conditional comparison result with the aim of 30 nm particle detection in the low density semiconductor. improved the detection capability of non-pattern inspection equipment. Based on the results of image analysis and evaluation through defect simulation, we have been studying the improvement of 30 nm particle detection power. Factor analysis such as wavelength polarization incident angle of semiconductor equipment parameter and scattering signal acquisition of real equipment were found to find the optimum condition of detection force and contributed to defect detection. As a result, it was confirmed that the detection power was significantly different when experimented with 266nm wavelength and P incident polarization condition using P polarization, and 30nm particle was detected and contributed to improvement of yield.

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