최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
출원번호 | 10-1998-0002633 (1998-01-31) |
공개번호 | 10-1999-0066582 (1999-08-16) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980002633 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2002-12-20) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
포토리소그래피(photolithography) 공정의 미세 패턴 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 위에 포토레지스트막을 코팅(coating)하는 단계와, 상기 포토레지스트막이 코딩된 반도체 기판을 노광하는 단계와, 상기 노광이 진행된 반도체 기판을 PEB(Post Exposure Bake)하는 단계를 포함하는 미세 패턴 형성방법에 있어서, 상기 PEB 시간을 조절하여 미세 패턴의 임계치수 및 공정마진을 제어하는 PEB 시간 조절에 의한 미세 패턴 형성방법을 제공한다. 상기 PEB 시간은 1∼4시간의 범위에서 조
반도체 기판 위에 포토레지스트막을 코팅(coating)하는 단계;상기 포토레지스트막이 코딩된 반도체 기판을 노광하는 단계;상기 노광이 진행된 반도체 기판을 PEB(Post Exposure Bake)하는 단계를 포함하는 미세패턴 형성방법에 있어서,상기 PEB 시간을 조절하여 미세패턴의 임계치수 및 공정마진을 제어하는 PEB 시간 조절에 의한 미세패턴 형성방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.