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[한국특허] 반도체 디바이스 및 그 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-027/00
출원번호 10-1998-0037477 (1998-09-11)
공개번호 10-1999-0029710 (1999-04-26)
등록번호 10-0315278-0000 (2001-11-08)
DOI http://doi.org/10.8080/1019980037477
발명자 / 주소
출원인 / 주소
  • 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 / 일본국 도꾜도 미나도꾸 시바 *쪼메 *방 *고
대리인 / 주소
  • 이병호 (LEE, Byong Ho)
  • 서울 종로구 수송동 ** 번지코리안리빌딩*층(법무법인중앙)
심사청구여부 있음 (1998-09-11)
심사진행상태 등록결정(심사전치후)
법적상태 소멸

초록

플래시 EEPROM과 같은 반도체 디바이스는 반도체 기판상에 증착된 산화물/질화물/산화물의 샌드위치 구조를 갖는다. 광 리소그래피와 플라즈마화한 에칭은 액티브 영역 상에 연재하는 상기 구조의 부분을 제거하는 것에 이용된다. 에칭된 샌드위치 구조의 질화물층은 내산화성을 갖기 때문에 산화 래디컬(radical)이 기판에 도달하는 것을 방지한다. 이것에 의해, 버즈 비크(bird's beak)가 발생하는 것이 억제된다.

대표청구항

인접하는 소자들을 전기적 절연층에 의해 분리한 반도체 디바이스로서, 상기 절연층은 내산화성의 부분을 갖는 반도체 디바이스.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURE | SUZUKI AKINORI

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