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[한국특허] 웨이퍼 절연층 연마용 슬러리의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/304
출원번호 10-1998-0038194 (1998-09-16)
공개번호 10-2000-0019872 (2000-04-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1019980038194
발명자 / 주소
  • 이길성 / 서울특별시 관악구 봉천*동 ****-* 보라매 삼성 아파트 ***동 ****호
  • 이재석 / 경기도 의왕시 오전동 동백 아파트 ***동 ****호
  • 김석진 / 서울특별시 은평구 신사동 *-*호
  • 장두원 / 대전광역시 유성구 전민동 세종 아파트 ***동 ****호
출원인 / 주소
  • 제일모직주식회사 / 경상북도 구미시 공단동 ***
대리인 / 주소
  • 김윤배; 이범일 (KIM, Yoon Bae)
  • 서울 종로구 관훈동 ***-* 동덕빌딩 *층; 서울 종로구 관훈동 ***-* 동덕빌딩 *층(대양국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2001-04-18)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 퓸(fumed) 실리카를 원료로 절연층 연마용 슬러리의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.본 발명에서의 슬러리는 연마입자인 실리카에 암모늄염을 0.001 내지 0.5중량%를 첨가하여 분산시킨 것으로 실리카의 입자 크기 분포가 5 내지 500㎚의 분포를 가지며, 이때 사용되는 암모늄염은 C1 내지 C30의 알킬트리메틸 클로라이드 또는 브로마이드를 이용하는 것을 특징으로 한다.본 발명의 방법에 의해 제조된 슬러리를 이용하여 반도체 디바이스를 연마시킬 때 그 연마속도 및 μ-스크레치성에서 우수한 결과를 나타내게 된다.

대표청구항

연마속도 및 μ-스크레치성이 개선된 웨이퍼 절연층 연마용 슬러리를 제조하는데 있어서, 연마 입자인 실리카에 암모늄염을 첨가한 후 함께 분산시켜서 됨을 특징으로 하는 웨이퍼 절연층 연마용 슬러리의 제조방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 나트륨 및 금속의 함량이 적은 실리카 연마슬러리 | 존에이.롬버거, 찰스씨.패인

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 산화막용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 형성 방법 | 정종구
  2. [한국] 반도체 디바이스의 산화막 연마용 CMP 슬러리 | 노현수, 이길성, 이재석, 도원중, 강경문, 이동준, 김남수, 임영삼
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