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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1998-0038194 (1998-09-16) |
공개번호 | 10-2000-0019872 (2000-04-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980038194 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-04-18) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 퓸(fumed) 실리카를 원료로 절연층 연마용 슬러리의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.본 발명에서의 슬러리는 연마입자인 실리카에 암모늄염을 0.001 내지 0.5중량%를 첨가하여 분산시킨 것으로 실리카의 입자 크기 분포가 5 내지 500㎚의 분포를 가지며, 이때 사용되는 암모늄염은 C1 내지 C30의 알킬트리메틸 클로라이드 또는 브로마이드를 이용하는 것을 특징으로 한다.본 발명의 방법에 의해 제조된 슬러리를 이용하여 반도체 디바이스를 연마시킬 때 그 연마속도 및 μ-스크레치성에서 우수한 결과를 나타내게 된다.
연마속도 및 μ-스크레치성이 개선된 웨이퍼 절연층 연마용 슬러리를 제조하는데 있어서, 연마 입자인 실리카에 암모늄염을 첨가한 후 함께 분산시켜서 됨을 특징으로 하는 웨이퍼 절연층 연마용 슬러리의 제조방법.
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