초록

본 발명은 물; 평균 입경이 ≤50 nm인 콜로이드상 실리카 연마 입자 1 내지 40 wt%; 및 사차 암모늄 화합물 0 내지 5 wt%를 포함하고, 산화제 및 킬레이트제를 함유하지 않으며, pH가 ＞6 내지 12인화학 기계 연마 조성물을 사용하여, 게르마늄-안티몬-텔루르 칼코게나이드 상변화 합금을 포함하는 기판을 화학 기계 연마하는 방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

게르마늄-안티몬-텔루르 상변화 합금인 칼코게나이드 상변화 합금을 포함하는 기판을 제공하고;물, 평균 입경이 ≤50 nm인 콜로이드상 실리카 연마제 1 내지 40 wt%, 및 사차 암모늄 화합물 0.01 내지 5 wt%를 포함하고, 산화제 및 킬레이트제를 함유하지 않으며, 6을 초과하고 12 이하인 pH를 갖는, 화학 기계 연마 조성물을 제공하며;화학 기계 연마 패드를 제공하고;화학 기계 연마 패드와 기판 사이의 계면에 동적 접촉을 일으키고;화학 기계 연마 패드와 기판 사이의 계면 또는 그 가까이에서 화학 기계 연마 조성물을 화학 기

게르마늄-안티몬-텔루르 상변화 합금인 칼코게나이드 상변화 합금을 포함하는 기판을 제공하고;물, 평균 입경이 ≤50 nm인 콜로이드상 실리카 연마제 1 내지 40 wt%, 및 사차 암모늄 화합물 0.01 내지 5 wt%를 포함하고, 산화제 및 킬레이트제를 함유하지 않으며, 6을 초과하고 12 이하인 pH를 갖는, 화학 기계 연마 조성물을 제공하며;화학 기계 연마 패드를 제공하고;화학 기계 연마 패드와 기판 사이의 계면에 동적 접촉을 일으키고;화학 기계 연마 패드와 기판 사이의 계면 또는 그 가까이에서 화학 기계 연마 조성물을 화학 기계 연마 패드에 분배하는 것을 포함하며;여기에서,적어도 일부의 칼코게나이드 상변화 합금이 기판으로부터 제거되고, 기판이 추가로 Si3N4를 포함하고 화학 기계 연마 조성물의 게르마늄-안티몬-텔루르 상변화 합금 대 Si3N4 제거 속도 선택도가 40:1 이상이거나, 또는 기판이 추가로 오르토규산테트라에틸(TEOS)을 포함하고 화학 기계 연마 조성물의 게르마늄-안티몬-텔루르 상변화 합금 대 TEOS 제거 속도 선택도가 40:1 이상인, 기판의 화학 기계 연마 방법.