초록 ▼

본 발명은 광섬유 통신에 이용되는 광원중의 하나인 레이저 다이오드(LD)칩에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 칩의 절단 수율을 높일 수 있는 레이저 다이오드칩의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드 칩 제조방법은 광통신용 레이저 다이오드 칩을 제조하기 위해 (1) 3차 MOCVD 성장이 끝난 n형 InP, p형 InP, n형 InP, p형 InP 및 InGaAs층이 차례대로 적층된 웨이퍼의 표면에 질화박막(Si3N4)을 증착하고, 포토리소그라피 공정으로 V-메사(V-mesa)와 V-그루브(V-groove)를 에칭하기

본 발명은 광섬유 통신에 이용되는 광원중의 하나인 레이저 다이오드(LD)칩에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 칩의 절단 수율을 높일 수 있는 레이저 다이오드칩의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드 칩 제조방법은 광통신용 레이저 다이오드 칩을 제조하기 위해 (1) 3차 MOCVD 성장이 끝난 n형 InP, p형 InP, n형 InP, p형 InP 및 InGaAs층이 차례대로 적층된 웨이퍼의 표면에 질화박막(Si3N4)을 증착하고, 포토리소그라피 공정으로 V-메사(V-mesa)와 V-그루브(V-groove)를 에칭하기 위해 에칭용 원도우(window)를 열고, 황산, 과산화수소 및 증류수가 혼합된 용액을 이용하여 InGaAs층을 에칭하는 단계와; (2) 염산계 용액을 이용하여 전류차단층인 InP층을 에칭하는 단계와; (3) PECVD를 이용하여 질화박막(SiNx)을 증착하는 단계와; (4) 포토리소그라피 공정으로 전극을 형성하기 위해 전극형성용 윈도우를 열고, 웨이퍼의 표면에 P형 전극을 형성하는 단계와; (5) 웨이퍼의 뒷면을 연마한 후 뒷면에 N형 전극을 형성하는 단계와; (6) 전극의 형성이 완료되면 브레이커(breaker)를 이용하여 일정한 크기로 절단하는 단계를 포함한다.

대표청구항 ▼

광통신용 레이저 다이오드 칩을 제조하기 위해 (1) 3차 MOCVD 성장이 끝난 n형 InP, p형 InP, n형 InP, p형 InP 및 InGaAs층이 차례대로 적층된 웨이퍼의 표면에 질화박막(Si3N4)을 증착하고, 포토리소그라피 공정으로 V-메사(V-mesa)와 V-그루브(V-groove)를 에칭하기 위해 에칭용 원도우(window)를 열고, 황산, 과산화수소 및 증류수가 혼합된 용액을 이용하여 InGaAs층을 에칭하는 단계와; (2) 염산계 용액을 이용하여 전류차단층인 InP층을 에칭하는 단계와;(3) PECVD를 이용하

광통신용 레이저 다이오드 칩을 제조하기 위해 (1) 3차 MOCVD 성장이 끝난 n형 InP, p형 InP, n형 InP, p형 InP 및 InGaAs층이 차례대로 적층된 웨이퍼의 표면에 질화박막(Si3N4)을 증착하고, 포토리소그라피 공정으로 V-메사(V-mesa)와 V-그루브(V-groove)를 에칭하기 위해 에칭용 원도우(window)를 열고, 황산, 과산화수소 및 증류수가 혼합된 용액을 이용하여 InGaAs층을 에칭하는 단계와; (2) 염산계 용액을 이용하여 전류차단층인 InP층을 에칭하는 단계와;(3) PECVD를 이용하여 질화박막(SiNx)을 증착하는 단계와; (4) 포토리소그라피 공정으로 전극을 형성하기 위해 전극형성용 윈도우를 열고, 웨이퍼의 표면에 P형 전극을 형성하는 단계와; (5) 웨이퍼의 뒷면을 연마한 후 뒷면에 N형 전극을 형성하는 단계와; (6) 전극의 형성이 완료되면 브레이커(breaker)를 이용하여 일정한 크기로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드칩의 제조방법.