초록

본 발명은 디아조나프토퀴논 설포네이트 에스테르-노볼락 양각 포토레지스트를 순간 노출 후 소성(순간 PEB) 공정으로 처리하는 것에 관한 것이다. 이 방법은 종래의 노출 후 소성(PEB) 공정에 비해 보다 높은 온도(≥130℃)와 매우 짧은 소성 시간(≤30초)을 레지스트, 바람직하게는 하부 항반사성 코팅 위에 처리한다. 이러한 처리에 의해 레지스트의 해상도, 공정 허용 범위, 열적 변형 온도, 레지스트 접착력 및 플라스마 에칭 내성이 크게 향상된다.

대표청구항 ▼

기판에 포토레지스트를 코팅하고, 포토레지스트를 화학선에 노출시킨 뒤 포토레지스트 피막을 소성시키며, 피막 처리된 기판을 처리하여 상기 기판에 상을 현상시키는 단계를 포함하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법으로서, 상기 소성 단계는 기판을 130℃ 이상의 온도로 가열된 표면과 접촉시키거나 또는 그 표면에 밀접하게 접근시켜 30초 이하의 시간 동안 처리하는 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 가열된 표면의 온도가 130~160℃인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 가열된

기판에 포토레지스트를 코팅하고, 포토레지스트를 화학선에 노출시킨 뒤 포토레지스트 피막을 소성시키며, 피막 처리된 기판을 처리하여 상기 기판에 상을 현상시키는 단계를 포함하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법으로서, 상기 소성 단계는 기판을 130℃ 이상의 온도로 가열된 표면과 접촉시키거나 또는 그 표면에 밀접하게 접근시켜 30초 이하의 시간 동안 처리하는 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 가열된 표면의 온도가 130~160℃인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 가열된 표면의 온도가 140~150℃인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 소성 시간이 21초 이하인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 소성 시간이 10초 내지 20초인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 포토레지스트가 디아조나프토퀴논/노볼락 레지스트인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제6항에 있어서, 디아조나프토퀴논 감광제가 벤조페논 유도체가 아닌 방향족 화합물의 주쇄를 갖는 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제7항에 있어서, 방향족 화합물이 임의의 페닐 고리에 하나의 히드록시기를 갖는 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제6항에 있어서, 포토레지스트가 노볼락 수지를 함유하고, 노볼락 수지는 저분자량 성분들이 부분적으로 또는 완전히 제거되도록 처리하는 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제9항에 있어서, 포토레지스트가 단량체성 화합물 또는 저분자량 화합물을 포함하여 광 감도가 증가되는 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 기판은 반사율이 낮고, 바람직하게는 기판에 항반사성 코팅 처리를 하므로써 반사율이 낮아지는 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제11항에 있어서, 항반사성 코팅이 무기 흡수재 또는 투명 재료이고, 이 투명 재료는 바람직하게는 실리콘 옥사이드이며, 흡수재는 바람직하게는 실리콘 또는 질화티탄인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제11항에 있어서, 항반사성 코팅이 포토레지스트를 현상시키는 방법 또는 건식 에칭 방법 중 한 방법에서 결상식으로 제거되는 유기 재료인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제13항에 있어서, 항반사성 층이 2 ㎛-1 이상, 가장 바람직하게는 8 ㎛-1 이상의 흡수성을 지닌 건조된 재료인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.