IPC분류정보
| 국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 |
10-1998-0709353
(1998-11-19)
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| 공개번호 |
10-2000-0015804
(2000-03-15)
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| 등록번호 |
10-0497443-0000
(2005-06-16)
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| 국제출원번호 |
PCT/US1997/007954
(1997-05-09)
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| 국제공개번호 |
WO1997044709
(1997-11-27)
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| 번역문제출일자 |
1998-11-19
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| DOI |
http://doi.org/10.8080/1019980709353
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발명자
/ 주소 |
- 카시아, 피터, 프란시스
/ 미국 ***** 델라웨어주 윌밍톤 스위트브라이어로드 ****A
- 프렌치, 로저, 하퀘일
/ 미국 ***** 델라웨어주 윌밍톤 아텐스 로드 ****
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| 출원인 / 주소 |
- 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니 / 미합중국*****델라웨어주윌밍톤마킷트스트리트****
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| 대리인 / 주소 |
-
주성민;
김영
(CHU, Sung Min)
-
서울 종로구 내자동 세양빌딩 (김.장법률사무소);
서울시 종로구 신문로*가 ***번지 흥국생명빌딩 *층(김.장법률사무소)
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| 심사청구여부 |
있음 (2002-05-09) |
| 심사진행상태 |
등록결정(일반) |
| 법적상태 |
소멸 |
초록
하나 이상의 알루미늄 화합물 층 및 선택된 평판인쇄의 파장 <400 nm에서 알루미늄 화합물보다 광흡수성이 더 높은 1종 이상의 성분을 포함하는, 180°상 전이를 일으키고 선택된 평면인쇄의 파장 <400 nm에서 적어도 0.001의 광투과율을 갖는 것이 가능한 감쇠성 매립 상 전이 포토마스크 블랭크를 하나 이상의 알루미늄 화합물 층 및 알루미늄 화합물보다 광흡수성이 더 높은 1종 이상의 성분을 기판 상에 침착시킴으로써 제조한다.
대표청구항
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하나 이상의 알루미늄 화합물 층 및 선택된 평판인쇄의 파장 <400 nm에서 알루미늄 화합물보다 광흡수성이 더 높은 1종 이상의 성분을 포함하는, 180°상 전이를 일으키고 선택된 평면인쇄의 파장 <400 nm에서 적어도 0.001의 광투과율을 갖는 것이 가능한 감쇠성 매립 상 전이 포토마스크 블랭크. 제1항에 있어서, 서멧 포토마스크 블랭크인 포토마스크 블랭크. 제1항에 있어서, 다중층 포토마스크 블랭크인 포토마스크 블랭크. 제3항에 있어서, 알루미늄 화합물 및 광흡수성이 보다 높은 성분의 교대층으로 이루어진
하나 이상의 알루미늄 화합물 층 및 선택된 평판인쇄의 파장 <400 nm에서 알루미늄 화합물보다 광흡수성이 더 높은 1종 이상의 성분을 포함하는, 180°상 전이를 일으키고 선택된 평면인쇄의 파장 <400 nm에서 적어도 0.001의 광투과율을 갖는 것이 가능한 감쇠성 매립 상 전이 포토마스크 블랭크. 제1항에 있어서, 서멧 포토마스크 블랭크인 포토마스크 블랭크. 제1항에 있어서, 다중층 포토마스크 블랭크인 포토마스크 블랭크. 제3항에 있어서, 알루미늄 화합물 및 광흡수성이 보다 높은 성분의 교대층으로 이루어진 포토마스크 블랭크. 제1항에 있어서, 복합재료 포토마스크 블랭크인 포토마스크 블랭크. 제1항에 있어서, 알루미늄 화합물이 질화 알루미늄, 옥시질화 알루미늄 및 산화 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 포토마스크 블랭크. 제1항에 있어서, 광흡수성이 보다 높은 성분이 원소 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 포토마스크 블랭크. 제1항에 있어서, 광흡수성이 보다 높은 성분이 (a) 원소 금속, (b) Ti, Fe, In, Co, Bi, Mn, Cu, Sn, Cr, Ni, V, Nb, Ta, Mo, 란탄 계열의 금속 또는 W의 산화물; (c) Ti, Nb, Mo, Cr, W, Ta, Zr, Hf 또는 V의 질화물; 및 (d) 그의 혼합물인 것인 포토마스크 블랭크. 제1항에 있어서, 선택된 평판인쇄의 파장이 193 nm, 248 nm, 및 365 nm로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 포토마스크 블랭크. 기판 상에 하나 이상의 알루미늄 화합물 층 및 선택된 평판인쇄의 파장 <400 nm에서 알루미늄 화합물보다 광흡수성이 더 높은 1종 이상의 성분을 침착시키는 것을 포함하는, 180°상 전이를 일으키고 선택된 평면인쇄의 파장 <400 nm에서 적어도 0.001의 광투과율을 갖는 것이 가능한 감쇠성 매립 상 전이 포토마스크 블랭크의 제조 방법. 제10항에 있어서, 침착 단계가 물리적 증착을 포함하는 방법. 제11항에 있어서, 물리적 증착 단계가 스퍼터링 및 증발로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법. 제10항에 있어서, 알루미늄 화합물이 질화 알루미늄, 옥시질화 알루미늄 및 산화 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법. 제10항에 있어서, 광흡수성이 보다 높은 성분이 원소 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 및 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법. 제10항에 있어서, 광흡수성이 보다 높은 성분이 (a) 원소 금속, (b) Ti, Fe, In, Co, Bi, Mn, Cu, Sn, Cr, Ni, V, Nb, Ta, Mo, 란탄 계열의 금속, 또는 W의 산화물; (c) Ti, Nb, Mo, Cr, W, Ta, Zr, Hf, 또는 V의 질화물; 및 (d) 그의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법. 제10항에 있어서, 광흡수성이 보다 높은 성분이 원소 금속이고 침착된 층이 알루미늄 화합물 안에 분산된 원소 금속을 포함하여 서멧 포토마스크 블랭크를 형성하는 방법. 제10항에 있어서, 알루미늄 화합물 및 광흡수성이 보다 높은 성분의 교대층들이 침착되어 다중층 포토마스크 블랭크를 형성하는 방법. 제10항에 있어서, 광흡수성이 보다 높은 성분이 원소 금속이 아니고, 침착된 층들이 알루미늄 화합물 및 광흡수성이 보다 높은 성분의 혼합물을 포함하여 복합재료 포토마스크 블랭크를 형성하는 방법. 제10항에 있어서, 선택된 평판인쇄의 파장이 193 nm, 248 nm, 및 365 nm로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
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