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연합인증

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온도균일도가 향상된 급속 열처리장치 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/324
출원번호 10-1999-0002645 (1999-01-28)
공개번호 10-2000-0051930 (2000-08-16)
DOI http://doi.org/10.8080/1019990002645
발명자 / 주소
  • 정기로 / 대전광역시대덕구법동보람아파트***동****호
  • 김도훈 / 대전광역시유성구신성동하나아파트***동****호
출원인 / 주소
  • 코닉 시스템 주식회사 / 경기도 화성군 동탄면 중리 ***
대리인 / 주소
  • 허진석 (Huh, Jin Seok)
  • 서울특별시 강남구 역삼동***-*영신빌딩***호(허진석특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (1999-01-28)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

기판 상에 도달하는 복사에너지의 세기를 균일하게 하여 기판 내의 온도 균일도를 향상시킬 수 있는 급속 열처리장치에 관해 개시하고 있다. 본 발명의 장치는, 기판을 가열하기 위한 복사에너지를 발산하는 다수의 열원램프와, 열원램프의 각각에서 나오는 복사에너지를 기판의 표면에 중첩 확산시키기 위해 기판과 열원램프 사이에 위치한 다수의 줌렌즈 어레이를 구비하는 것을 특징으로 한다. 여기서 줌렌즈 어레이는, 다수개의 원통 또는 반원통형의 석영봉을 적어도 2층 이상으로 교차적층시켜 만들거나, 석영판의 굴절률을 어레이형으로 변화시켜 만든다. 본

대표청구항

기판을 가열하기 위한 복사에너지를 발산하는 다수의 열원램프와;상기 열원램프의 각각에서 나오는 복사에너지를 상기 기판의 표면에 중첩 확산시키기 위해 기판과 열원램프 사이에 위치한 다수의 줌렌즈 어레이를 구비하는 급속 열처리장치.

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [일본] METHOD OF PROCESSING, PROCESSING DEVICE, METHOD OF CVD FILM FORMING AND DEVICE FOR IT | SAKAI TOSHIHIKO, NISHITANI EISUKE, ARAI TOSHIYUKI, SUZUKI MIWAKO
  2. [일본] BACK-SURFACE TREATING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE | SUZUKI YOSHIAKI
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