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반도체 장치의 포토레지스트막 제거 공정 후 이소프로필 알코올세정 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/027
출원번호 10-1999-0007760 (1999-03-09)
공개번호 10-2000-0059871 (2000-10-16)
DOI http://doi.org/10.8080/1019990007760
발명자 / 주소
  • 김재진 / 경기도용인시기흥읍농서리산*-*번지
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 임창현 (YIM, Chang Hyun)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** *층 (고려국제특허법률사무소)
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명의 반도체 장치의 포토레지스트막 제거 후 이소프로필 알코올 세정 방법은 금속막과 포토레지스트막이 차례로 형성된 기판을 준비하는 단계와; 상기 포토 레지스트막을 제거하는 단계와; 상기 기판을 이소프로필 알코올로 세정하는 단계 및; 상기 기판을 이소프로필 알코올 증기가 채워진 챔버 내에 위치시켜 상기 이소프로필 알코올을 건조시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 포토레지스트막 제거 공정 후 DI 워터 세정 공정을 수행하지 않아도 되므로, 종래보다 단순화된 공정으로 이소프로필 알코올 세정 공정을 수행할 수 있다. 더욱이,

대표청구항

금속막과 포토레지스트막이 차례로 형성된 기판을 준비하는 단계와;상기 포토 레지스트막을 제거하는 단계와;상기 기판을 이소프로필 알코올로 세정하는 단계 및;상기 기판을 이소프로필 알코올 증기가 채워진 챔버 내에 위치시켜 상기 이소프로필 알코올을 건조시키는 단계를 포함하는 반도체 장치의 포토레지스트막 제거 후 이소프로필 알코올 세정 방법.

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