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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1999-0007760 (1999-03-09) |
공개번호 | 10-2000-0059871 (2000-10-16) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019990007760 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명의 반도체 장치의 포토레지스트막 제거 후 이소프로필 알코올 세정 방법은 금속막과 포토레지스트막이 차례로 형성된 기판을 준비하는 단계와; 상기 포토 레지스트막을 제거하는 단계와; 상기 기판을 이소프로필 알코올로 세정하는 단계 및; 상기 기판을 이소프로필 알코올 증기가 채워진 챔버 내에 위치시켜 상기 이소프로필 알코올을 건조시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 포토레지스트막 제거 공정 후 DI 워터 세정 공정을 수행하지 않아도 되므로, 종래보다 단순화된 공정으로 이소프로필 알코올 세정 공정을 수행할 수 있다. 더욱이,
금속막과 포토레지스트막이 차례로 형성된 기판을 준비하는 단계와;상기 포토 레지스트막을 제거하는 단계와;상기 기판을 이소프로필 알코올로 세정하는 단계 및;상기 기판을 이소프로필 알코올 증기가 채워진 챔버 내에 위치시켜 상기 이소프로필 알코올을 건조시키는 단계를 포함하는 반도체 장치의 포토레지스트막 제거 후 이소프로필 알코올 세정 방법.
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