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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1999-0011632 (1999-04-02) |
공개번호 | 10-2000-0065399 (2000-11-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019990011632 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 잉곳을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 잉곳 제조 방법에서는 초기 도가니 회전 속도하에서 성장된 잉곳의 특성 값들을 측정하여 온도 구배 및 도가니 회전 속도 대 온도 구배 값들에 따라 도가니 속도를 변경하여, 변경된 도가니의 회전 속도 하에서 성장된 잉곳의 측정 값들이 요구되는 값들과 일치되는 지를 판별하여 도가니의 회전 속도를 조절함으로써, 저 농도의 산소를 함유하는 잉곳을 성장시킬 수 있다.
잉곳을 제조하는 방법에 있어서:초기 도가니 회전 속도 하에서 성장된 잉곳 내의 특성 값들을 측정하는 단계와;상기 잉곳의 온도 구배 및 도가니 회전 속도 대 온도 구배 값들을 계산하는 단계와;상기 온도 구배 및 도가니 회전 속도 대 온도 구배 값들에 따라 도가니 회전 속도를 변경하는 단계와;변경된 도가니 회전 속도 하에서 성장된 잉곳의 특성 값들을 측정하는 단계와;변경된 도가니 회전 속도 하에서 성장된 잉곳의 특성 값들이 요구되는 값들과 일치되는 지를 판별하는 단계 및;상기 잉곳의 특성 값들이 요구되는 값들과 일치될 때, 도가니 회전
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