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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2005-0109305 (2005-11-15) |
공개번호 | 10-2007-0051567 (2007-05-18) |
등록번호 | 10-1100862-0000 (2011-12-23) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020050109305 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-12-12) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
실리콘 단결정 잉곳의 제조방법이 개시된다.개시된 실리콘 단결정 잉곳의 제조방법은, 쵸크랄스키(cz) 법에 의하여 실리콘 융액으로부터 단결정을 인상(引上)하는 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 외부측 상부 및 하부에 배치된 코일에 의해 발생되는 커스프 자기장을 이용하는 실리콘 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 상기 커스프 자기장을 인가함에 있어 측정된 하부의 자기장과, 상부의 자기장의 비율을 조정하여 플라워(Flower) 현상을 제어하는 것을 그 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 성장장치의 챔버의 외부에 설치된 상, 하부 코일에 의하여 인
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