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적층칩콘덴서의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01G-004/30
출원번호 10-1999-0028481 (1999-07-14)
공개번호 10-2001-0009879 (2001-02-05)
등록번호 10-0320928-0000 (2002-01-03)
DOI http://doi.org/10.8080/1019990028481
발명자 / 주소
  • 신유선 / 경기도수원시팔달구매탄*동***번지삼성전기(주)내
출원인 / 주소
  • 삼성전기주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 전준항; 손원 (CHUN, Choon Hang)
  • 서울 강남구 도곡*동 ***-* 대림아크로텔 ****호; 서울 서초구 서초동 ****-** 서초평화빌딩 **층(특허법인씨엔에스·로고스)
심사청구여부 있음 (1999-07-14)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록 ▼

본 발명은 적층칩콘덴서의 제조방법에 관한 것이며, 그 목적하는 바는 MLCC의 적층시 전극층 끝부분의 길이에 차등을 두어 적층함으로서, 소성변형 차이에 의한 변형응력이 저감되고, 소성후 냉각과정에서 열팽창계수 차이로 인한 열응력의 불균일 발생이 저감되어, 열충격저항성이 개선된 MLCC를 얻을 수 있는 방법을 제공하는데 있다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 양단부에 터미널전극이 형성되고, 내부가 유전체층과 전극층이 번갈아가면서 적층되고, 각 전극층의 한쪽 단부가 터미널전극에 연결되며 반대쪽 단부는 터미널 전극에 연결되지 않도록

대표청구항

양단부에 터미널전극이 형성되고, 내부가 유전체층과 전극층이 번갈아가면서 적층되고, 각 전극층의 한쪽 단부가 터미널전극에 연결되며 반대쪽 단부는 터미널 전극에 연결되지 않도록 형성되는 MLCC의 제조방법에 있어서, 동일한 터미널전극에 연결되는 전극층들 간에 있어 최인접하는 전극층들 끼리는, 터미널 전극으로 부터 반대쪽 단부까지의 길이가 다르게 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 MLCC의 제조방법

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 적층 콘덴서소자 | 오꼬다니요오이찌로, 가또쥰이찌, 미하라도시히로
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