[특허]ＬＤＤ 구조의 모스 트랜지스터 제조방법

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ＬＤＤ 구조의 모스 트랜지스터 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/78
출원번호	10-1999-0058475 (1999-12-17)
공개번호	10-2001-0056839 (2001-07-04)
등록번호	10-0598163-0000 (2006-06-30)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019990058475
발명자 / 주소	윤경일 / 경기도이천시대월면사동리**-현대전자사원아파트*동호 강재일 / 경기도이천시고담동현대전자고담기숙사동*호
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	특허법인아주 (AJU INTERANTIONAL LAW ＆ PATENT GROUP) 서울 강남 역삼동 **- 풍림빌딩 **층 (특허법인아주)
심사청구여부	있음 (2004-04-12)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	소멸

초록 ▼

본 발명은 LDD 구조의 모스 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로서, 특히 dl 제조 방법은 반도체기판의 활성 영역 위에 게이트산화막 및 게이트전극을 형성한 후에 기판 전면에 산화박막을 형성하고, 게이트전극을 마스크로 삼아 이온 주입 공정을 실시하여 게이트전극 양측 하부 기판내에 LDD 영역을 형성하고, 게이트전극 측벽에 산화물질과 식각 선택비가 다른 물질을 이용하여 스페이서를 형성한 후에 게이트전극 및 스페이서를 마스크로 삼아 이온 주입 공정을 실시하여 게이트전극 양측 하부 기판내에 소오스/드레인 영역을 형성한다. 이에 따라, 본

대표청구항 ▼

LDD 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법에 있어서,반도체기판의 활성 영역 위에 게이트산화막을 증착하고, 그 위에 도전물질로 이루어진 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극이 형성된 결과물에 산화박막을 형성하는 단계;상기 게이트전극을 마스크로 삼아 게이트전극을 사이에 두고 서로 이격된 활성 영역의 기판내에 기판과 다른 도전형 불순물이 저농도로 주입된 LDD 영역을 형성하는 단계;상기 게이트전극 측벽에 상기 산화물질과 식각 선택비가 다른 물질을 이용하여 스페이서를 형성하는 단계; 및상기 게이트전극 및 스페이서를 마스크로 삼아 기판내

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[일본] MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE | HAMADA HIROYUKI
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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