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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1999-7006516 (1999-07-19) |
공개번호 | 10-2000-0070287 (2000-11-25) |
국제출원번호 | PCT/DE1998/000089 (1998-01-12) |
국제공개번호 | WO1998032166 (1998-07-23) |
번역문제출일자 | 1999-07-19 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019997006516 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 실리콘 기판(1)상에 홀 구조물(2)을 형성함으로써 실리콘 커패시터를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 도전 영역(3)이 도핑에 의해 상기 홀 구조물의 표면에 형성되고, 유전층(4) 및 도전층(5)이 홀 구조물(2)을 채우지 않도록 도전 영역(3)에 제공된다. 도전 영역(3)의 도핑에 의해 야기되는 실리콘 기판(1)의 기계적 스트레스를 보상하기 위해, 기계적 압축 스트레스를 받는 일치하는 보조층(6)이 도전층(5)의 표면상에 형성된다.
- 다수의 홀 구조물(2)을 실리콘 기판(1)의 메인 표면(11)에 형성하는 단계,- 전기 활성 도펀트를 포함하는 도전 영역(3)을 홀 구조물(2)의 표면을 따라 형성하는 단계,- 유전층(4) 및 도전층(5)을 홀 구조물(2)을 채우지 않도록 도전 영역(3)의 표면상에 제공하는 단계, - 기계적 압축 스트레스 하에 놓이며 일치하는 에지 커버링을 가진 보조층(6)을 도전층(5)의 표면상에 형성하는 단계,- 홀 구조물(2)을 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하나 이상의 실리콘 커패시터의 제조 방법.제 1항에 있어서,- 실리콘
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