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[한국특허] Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법
Group Ⅲ Nitride Compound Semiconductor Device andMethod of Producing the Same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-033/00
  • H01L-021/20
출원번호 10-2000-0010654 (2000-03-03)
공개번호 10-2000-0071408 (2000-11-25)
DOI http://doi.org/10.8080/1020000010654
발명자 / 주소
  • 시바타나오키 / 일본국아이치켄비사이시카이메이이리니시쿠루와**-*
  • 이토준 / 일본국아이치켄이나자와시아카이케사카하타쵸**-***
  • 치요토시아키 / 일본국아이치켄아마군사오리쵸쇼바타카미사마다****-*
  • 아사미시즈요 / 일본국아이치켄이나자와시이나자와쵸마에다***-*
  • 와타나베히로시 / 일본국아이치켄이치노미야시야마토쵸묘코지센겐도*
  • 센다마사노부 / 일본국아이치켄니와군후소쵸타카오이누보리***-*
  • 아사미신야 / 일본국아이치켄이나자와시이나자와쵸마에다***-*
출원인 / 주소
  • 도요다 고세이 가부시키가이샤 / 일본국 아이치켄 니시카스가이군 하루히쵸 오아자 오치아이 아자나가하타 *반지
대리인 / 주소
  • 최달용 (CHOI, Dall Ryong)
  • 서울 서초구 서초*동 ****-** 진란회관 *층(최달용국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2000-03-03)
심사진행상태 원결정유지(심사전치)
법적상태 거절

초록

유기 금속 화합물을 원재료로 사용하지 않는 방법에 의해 기판상에 형성된 제 1의 Ⅲ족 질화물계 화합물층을 수소 또는 질소 가스 및 암모니아 가스를 포함하는 혼합가스 분위기내에서 열처리하며, 이 때문에 제 1의 Ⅲ족 질화물계 화합물층상에 형성된 제 2의 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체의 결정성이 개선된다. 제 1의 Ⅲ족 질화물계 화합물층이 스퍼터법에 의해 기판상에 형성될 때, 제 1의 Ⅲ족 질화물계 화합물층의 두께는 50Å 내지 3000Å의 범위가 된다.

대표청구항

Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자에 있어서, 기판과; 50Å 내지 3000Å의 두께를 가지며 유기 금속 화합물을 원재료로 사용하지 않는 방법에 의해 상기 기판상에 형성된 제 1의 Ⅲ족 질화물계 화합물층과; 상기 제 1의 Ⅲ족 질화물계 화합물층상에 형성된 제 2의 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체층을 구비한 것을 특징으로 하는 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [일본] BLUE LIGHT EMITTING DIODE | NAKAMURA SHUJI, SENOO MASAYUKI, IWASA SHIGETO
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  2. [미국] Method for epitaxially growing gallium nitride layers | Moustakas Theodore D. (Dover MA) Molnar Richard J. (Medford MA)
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이 특허를 인용한 특허 (3)

  1. [한국] 13족 질화물의 결정 구조를 변화시키는 방법, 13족 질화물 및 입방정 질화물을 포함하는 구성물 | 이와타, 아츠시, 아케도, 준
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  2. [한국] 실리콘상에서 단 결정 ＧａＮ 성장 방법 | 페크잘스키 안드르제즈, 노하바 토마스 이.
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  3. [한국] Ⅲ족 질화물 화합물 반도체 소자 및 그의 제조 방법, Ⅲ족 질화물 화합물 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법, 및 램프 | 가지 히로아끼, 요꼬야마 야스노리, 사까이 히로미쯔
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