[특허]ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자

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[한국특허] ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자
GaN-based compound semiconductor light emitting device 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-033/00
출원번호	10-2004-0096149 (2004-11-23)
공개번호	10-2006-0057090 (2006-05-26)
등록번호	10-0862453-0000 (2008-10-01)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020040096149
발명자 / 주소	김현수 / 경기 용인시 기흥읍 삼성종합기술원 기숙사 A* 조제희 / 경기 용인시 기흥읍 영덕리 태영아파트 동 ***호
출원인 / 주소	삼성전기주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소	특허법인 씨엔에스·로고스 (C&S·LOGOS PATENT AND LAW OFFICE) 서울 서초구 서초동**- 서초평화빌딩 **층
심사청구여부	있음 (2007-05-09)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록

ＧＡＮ 계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 반도체 발광소자는, 기판 상에 순차적으로 적층된 N형 반도체층, 상기 N형 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성된 P형 반도체층과, 상기 P형 반도체층 상에 형성된 P형 전극과, 상기 N형 반도체층 상에서 상기 제1 영역과 이격된 제2 영역 상에 형성된 N형 전극과, 상기 활성층을 포함하는 상기 P형 반도체층 및 N형 반도체층의 측면에 형성된 유전층과, 상기 유전층 상에 형성된 반사층을 구비하는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

기판, 상기 기판 상에 형성된 N형 반도체층, 상기 N형 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 P형 반도체층, 상기 P형 반도체층 상에 형성된 P형 전극, 상기 N형 반도체층 상에서 상기 제1 영역과 이격된 제2 영역 상에 형성된 N형 전극; 상기 활성층을 포함하는 P형 반도체층 및 N형 반도체층의 측면에 형성된 유전층; 및

기판, 상기 기판 상에 형성된 N형 반도체층, 상기 N형 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 P형 반도체층, 상기 P형 반도체층 상에 형성된 P형 전극, 상기 N형 반도체층 상에서 상기 제1 영역과 이격된 제2 영역 상에 형성된 N형 전극; 상기 활성층을 포함하는 P형 반도체층 및 N형 반도체층의 측면에 형성된 유전층; 및 상기 유전층 상에 형성된 반사층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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