초록

본 발명은 반도체소자의 듀얼게이트 제조방법에 관한 것으로, 특히 듀얼게이트 제조공정 중 듀얼게이트 식각 공정에 있어서, 폴리실리콘막을 다단계로 나누어 식각함으로써, 도프드 폴리실리콘과 언도프드 폴리실리콘의 식각속도 및 비등방성 식각 프로파일을 동일하게 유지되어할 수 있으며, 그로 인하여 후속 식각단계에서, 하부 게이트산화막에 대한 식각선택비의 차이가 없어 과도식각 시 게이트산화막이 손상되는 것을 방지할 수 있는 매우 유용하고 효과적인 장점을 지닌 발명에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

필드산화막을 형성하여 액티브 영역과 필드 영역이 정의된 반도체기판 상에 게이트산화막을 형성한 후, 언도프드 폴리실리콘을 증착하는 단계와;상기 언도프드 폴리실리콘층의 일측 상부에 포트레지스트 마스크를 형성한 후, 언도프드 폴리실리콘층의 타측에 N+이온을 주입하여 N도프드 폴리실리콘 영역과 언도프드 폴리실리콘 영역을 정의하는 단계와;상기 N도프드 폴리실리콘 영역과 언도프드 폴리실리콘 영역 상부에 듀얼게이트 마스크패턴을 형성하는 단계와;상기 듀얼게이트 마스크패턴을 이용하여 N도프드 폴리실리콘과 언도프드 폴리실리콘을 다단계의 식각공정을 통

필드산화막을 형성하여 액티브 영역과 필드 영역이 정의된 반도체기판 상에 게이트산화막을 형성한 후, 언도프드 폴리실리콘을 증착하는 단계와;상기 언도프드 폴리실리콘층의 일측 상부에 포트레지스트 마스크를 형성한 후, 언도프드 폴리실리콘층의 타측에 N+이온을 주입하여 N도프드 폴리실리콘 영역과 언도프드 폴리실리콘 영역을 정의하는 단계와;상기 N도프드 폴리실리콘 영역과 언도프드 폴리실리콘 영역 상부에 듀얼게이트 마스크패턴을 형성하는 단계와;상기 듀얼게이트 마스크패턴을 이용하여 N도프드 폴리실리콘과 언도프드 폴리실리콘을 다단계의 식각공정을 통하여 식각한 후, 듀얼게이트 마스크패턴을 제거하여 듀얼게이트를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 듀얼게이트 제조방법.