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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2001-0038413 (2001-06-29) |
공개번호 | 10-2003-0002713 (2003-01-09) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010038413 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명에 따른 반도체 장치의 씨엠피 시뮬레이션을 이용한 마스크 제작 절차는, 제공된 데이터에 따라 사전 규정된 더미 패턴 설계 룰을 얻은 후 CMP 공정의 시뮬레이션 프로그램에 상기 얻어진 값을 입력하는 제 1 단계; CMP 공정의 시뮬레이션을 실시하는 제 2 단계; 상기 CMP 공정의 시뮬레이션에 의해 출력된 패턴 밀도가 규정된 공정 스팩을 만족하는 지를 검사하는 제 3 단계; 상기 CMP 공정의 시뮬레이션에 의해 출력된 패턴 밀도가 만족스러운 경우 마스크를 제작하고, 그렇지 않은 경우, 더미 패턴 설계 룰을 변경하여 입력한 후
제공된 데이터에 따라 사전 규정된 더미 패턴 설계 룰을 얻은 후 CMP 공정의 시뮬레이션 프로그램에 상기 얻어진 값을 입력하는 제 1 단계; CMP 공정의 시뮬레이션을 실시하는 제 2 단계; 상기 CMP 공정의 시뮬레이션에 의해 출력된 패턴 밀도가 규정된 공정 스팩을 만족하는 지를 검사하는 제 3 단계; 상기 CMP 공정의 시뮬레이션에 의해 출력된 패턴 밀도가 만족스러운 경우 마스크를 제작하고, 그렇지 않은 경우, 더미 패턴 설계 룰을 변경하여 입력한 후 CMP 공정의 재 시뮬레이션을 실시하는 제 4 단계;상기 CMP 공정의 재 시
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