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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2001-0074143 (2001-11-27) |
공개번호 | 10-2003-0043128 (2003-06-02) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020010074143 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-11-27) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 반도체 소자의 감광막 도포 방법에 관한 것으로, 특히 감광액 분사 단계와 감광막 형성 단계 사이에 감광막 형성 단계보다 웨이퍼(Wafer)를 저속회전 시키는 솔벤트(Solvent) 증발 단계를 추가 진행하므로, 감광액 성분중의 하나인 솔벤트 성분을 휘발시켜 감광액의 점도를 향상시키므로 감광막의 두께를 증가시키면서 균일한 감광막을 형성하여 점도가 높은 감광액을 개발할 필요가 없어 소자 원가를 절감시키고 또한 감광막 두께 및 균일도 증가로 소자의 집적화, 수율 및 신뢰성을 향상시키는 특징이 있다.
감광액 분사 준비 단계, 감광액 분사 단계 및 감광막 형성 단계를 순차적으로 실시하는 감광막 도포 공정에 있어서,상기 감광액 분사 단계와 감광막 형성 단계 사이에 솔벤트 증발 단계를 추가 실시하는 것을 포함하는 반도체 소자의 감광막 도포 방법.
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