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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2002-0000233 (2002-01-03) |
공개번호 | 10-2003-0059635 (2003-07-10) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020020000233 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-12-29) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
웨이퍼 내부 결정 결함을 검출하는 방법이 개시된다. 이 방법은 레이져 빔을 웨이퍼 표면에 일정 각도로 조사하면서 웨이퍼 표면 스캐닝을 실시하고, 그 반사광을 검출하여 검출된 이미지의 패턴을 살피는 단계가 구비된다. 사용하는 레이져 빔으로는 청색 파장 범위의 레이져 빔을 사용하는 것이 바람직하며, 레이져 빔과 웨이퍼 면과의 상대적인 각도 (incident oblic angle)는 0도보다 크고 25도 이하인 것이 바람직하다. 스캐닝을 통해 얻어진 반사광의 영상 패턴은 웨이퍼 내부에 큰 변위 (large dislocation)가 있을
레이져 빔을 웨이퍼 표면에 일정 각도로 조사하면서 웨이퍼 표면 스캐닝을 실시하는 단계, 상기 조사된 레이져 빔의 반사광을 검출하여 검출된 스폿(spot) 이미지의 패턴을 살피는 단계로 이루어지는 반도체 웨이퍼 내부 결정 결함 검출 방법.
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