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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2002-0040626 (2002-07-12) |
공개번호 | 10-2004-0006369 (2004-01-24) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020020040626 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
반도체 기판의 세정방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상의 막을 평탄화하여 소수성인 막을 노출시킨다. 상기 기판 표면을 산화제 또는 계면활성제로 처리하여 친수화시킴으로써 물반점 생성을 억제시킨다. 반도체 기판 상에 형성된 표면이 소수성인 막을 평탄화하고, 상기 기판 표면을 버핑 용액으로 처리하여 평탄화를 마무리하며 세정한다. 상기 기판을 마르지 않도록 이동시킨 후, 상기 기판을 린스하여 표면의 이물질을 제거한다. 상기 기판을 브러시 세정하고, 상기 기판을 물에 비해 휘발성이 높은 용액으로 린스한다. 기판 표면을 친수화하거나, 휘발을
Ⅰ) 반도체 기판 상의 막을 평탄화하여 소수성인 막을 노출시키는 단계; 및Ⅱ) 상기 기판 표면을 산화제 또는 계면활성제로 처리하여 친수화시킴으로써 물반점 생성을 억제시키는 단계를 포함하는 반도체 기판의 세정방법.
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