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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2002-0086136 (2002-12-28) |
공개번호 | 10-2004-0059731 (2004-07-06) |
등록번호 | 10-0486116-0000 (2005-04-20) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020020086136 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2002-12-28) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 제 1,2,3 게이트 구졸 형성하여 제 3 게이트에 인가되는 전압에 의해 제 1 게이트에 인가되는 전압을 드롭시킬 수 있도록하여 고전압을 게이트에 직접 인가하는 것이 가능하도록한 고전압 트랜치 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 그 구조는 반도체 기판에 형성되는 에피택셜층내에 매립되는 제 1 게이트(FG); 상기 제 1 게이트(FG)의 양측의 에피택셜층내에 형성되는 소오스 그리고 반도체 기판의 백사이드에 구성되는 백 메탈층(드레인); 제 1 게이트(FG)의 양측 에지부에 얼라인되어 에피택셜층상에 형성되는 제 2
반도체 기판에 형성되는 에피택셜층내에 매립되는 제 1 게이트(FG)|상기 제 1 게이트(FG)의 양측의 에피택셜층내에 형성되는 소오스 그리고 반도체 기판의 백사이드에 구성되는 백 메탈층(드레인)|제 1 게이트(FG)의 양측 에지부에 얼라인되어 에피택셜층상에 형성되는 제 2 게이트(SG)|상기 제 1,2 게이트상에 형성되는 ONO층|상기 제 1,2 게이트에 모두 오버랩되어 형성되고 제 1 게이트(FG)에 인가되는 전압을 드롭시키는 제 3 게이트(TG)를 포함하고 구성되는 것을 특징으로 하는 고전압 트랜치 트랜지스터.
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