$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

표준 CMOS 공정을 이용한 바이씨모스 소자 및 그 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/336
출원번호 10-2008-0115467 (2008-11-20)
공개번호 10-2010-0056593 (2010-05-28)
등록번호 10-1044325-0000 (2011-06-20)
DOI http://doi.org/10.8080/1020080115467
발명자 / 주소
  • 나기열 / 충청북도 청원군 오창읍 각리 코아루아파트 ***동 ****호
  • 최문호 / 충청북도 청주시 흥덕구 개신동 ***-* 재원아파트 ***호
  • 김영석 / 충청북도 청주시 흥덕구 개신동 ***-* 해가득한 집 *-***
  • 백기주 / 경상남도 창원시 반림동 현대아파트 ***동 ***호
출원인 / 주소
  • 충북대학교 산학협력단 / 충청북도 청주시 흥덕구 개신동 **
대리인 / 주소
  • 김성남
심사청구여부 있음 (2008-11-20)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

표준 CMOS 공정으로 바이폴라 트랜지스터를 제조할 수 있는 BiCMOS 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 발명의 BiCMOS 소자는 모스 트랜지스터 영역 및 바이폴라 트랜지스터 영역이 한정된 기판, 상기 바이폴라 트랜지스터 영역의 상기 반도체 기판 상에 형성되는 반도체 패턴, 상기 반도체 패턴의 일측 부분에 형성되며 제 1 도전형의 불순물을 갖는 에미터, 상기 반도체 패턴의 타측 부분에 형성되며 상기 제 1 도전형의 불순물을 갖는 콜렉터, 및 상기 에미터 및 상기 콜렉터 사이의 상기 반도체 패턴에 형성되며 제 2 도전형의

대표청구항

모스 트랜지스터 영역 및 바이폴라 트랜지스터 영역이 한정된 기판;상기 바이폴라 트랜지스터 영역의 반도체 기판 상에 형성되는 반도체 패턴;상기 반도체 패턴의 일측 부분에 형성되며 제 1 도전형의 불순물을 갖는 에미터;상기 반도체 패턴의 타측 부분에 형성되며 상기 제 1 도전형의 불순물을 갖는 콜렉터; 상기 에미터 및 상기 콜렉터 사이의 상기 반도체 패턴에 형성되며 제 2 도전형의 불순물을 포함하는 베이스; 상기 모스 트랜지스터 영역 상에 제 1 도전형의 저농도 불순물 영역 및 고농도 불순물 영역으로 구성된 소오스, 드레인 및 상기 소

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [일본] TRANSISTOR | ONO YUKIO
  2. [한국] SOI 기판 위에 구현된 SiGe BiCMOS 소자 및그 제조 방법 | 강진영, 이승윤, 조경익
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로