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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2003-0031232 (2003-05-16) |
공개번호 | 10-2004-0098909 (2004-11-26) |
등록번호 | 10-0516480-0000 (2005-09-14) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020030031232 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2003-05-16) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명에 의한 저온 플라즈마를 이용한 촉매 환원 방법은, 금속 화합물을 포함하는 촉매를 저온 플라즈마 상태하에서 수소 함유 기체와 접촉시키는 것에 의해 환원시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 저온 플라즈마를 이용한 촉매 환원 방법에 있어서, 상기 저온 플라즈마는 유전체 장벽 방전에 의하여 발생되는 것임을 특징으로 한다.본 발명에 의한 저온 플라즈마를 이용한 촉매 환원 방법에 있어서, 상기 환원 방법은 금속의 종류에 따라 다르게 요구되는 플라즈마 에너지를 전압 조절을 통한 전력의 크기로 조절하는 것을 특징으로 한다. 본 발
금속이 담체위에 금속산화물의 형태로 담지된 금속촉매를 저온 플라즈마 상태하에서 수소 함유 기체와 접촉시키는 것에 의해 환원시키는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마를 이용한 촉매 환원 방법.제1항에 있어서,상기 저온 플라즈마는 유전체 장벽 방전에 의하여 발생되는 것임을 특징으로 하는 저온 플라즈마를 이용한 촉매 환원 방법.제1항 또는 제2항에 있어서,상기 환원 방법은 금속의 종류에 따라 다르게 요구되는 플라즈마 에너지를 전압 조절을 통한 전력의 크기로 조절하는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마를 이용한 촉매 환원 방법.제1항 또는 제
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