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고압 수소 열처리를 이용한 고유전율 절연막 제조공정 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/31
출원번호 10-2003-0043709 (2003-06-30)
공개번호 10-2005-0002333 (2005-01-07)
등록번호 10-0520433-0000 (2005-10-04)
DOI http://doi.org/10.8080/1020030043709
발명자 / 주소
  • 황현상 / 광주광역시북구운암*동나산아파트***동***호
출원인 / 주소
  • 광주과학기술원 / 광주 북구 오룡동 *번지
대리인 / 주소
  • 황이남 (HWANG, E Nam)
  • 서울 서초구 양재동 **-** 산기협빌딩 *층(아시아나국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2003-06-30)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 모스 전계 효과 트랜지스터(MOS (METAL-OXIDE-SILICON) FIELD EFFECT TRANSISTOR, 이하 'MOSFET' 라 한다.) 제조 기술에 근거하는 모든 반도체 소자의 제작 공정에 있어서, 마지막 단계에 적용하는 성형가스(FORMING GAS)열처리 공정을 고유전율 절연막을 가진 소자에 적용함에 있어서, 기존의 상압 공정 대비 고압에서 실시함으로써, 상대적으로 저온에서도 반도체소자의 계면전하 및 고정전하의 패시베이션 효과를 극대화시키는 고유전율 절연막 제조공정에 관한 것이다.

대표청구항

반도체 소자를 고압의 가스 분위기에서 열처리하여 절연막의 전기적 특성을 개선하는 것을 특징으로 하는 고유전율 절연막 제조공정.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 반도체 장치 및 그의 제조방법 | 마키타나오키, 후나이다카시
    상세보기

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 고유전율 절연막이 구비된 저마늄 반도체 소자 및 이의 제조방법 | 조병진, 이태인
    상세보기
  2. [한국] ＭＯＳＦＥＴ 반도체 소자용 고압수소열처리 방법 | 황현상
    상세보기

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