초록 ▼

본 발명은 반도체 박막 연마용 연마 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화세륨 수성 슬러리의 제조공정에 의하면, 산화세륨 수성 현탁액에 분산제와 함께 분자량이 300 이하이고 COOH 기를 2개 이상 갖는 저분자 유기산을 첨가함으로써 산화세륨 입자를 효과적으로 수중에 분산시켜 산화세륨 입자간의 응집 현상을 방지하며, 또한 고선택비를 위해 추후에 첨가되는 음이온성 유기 화합물이 산화세륨 입자 표면에 흡착되는 것을 억제하므로, 본 발명의 방법에 의해 제조된 산화세륨 수성 슬러리는 분산안정성이 우수하고, 반도체 웨

본 발명은 반도체 박막 연마용 연마 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화세륨 수성 슬러리의 제조공정에 의하면, 산화세륨 수성 현탁액에 분산제와 함께 분자량이 300 이하이고 COOH 기를 2개 이상 갖는 저분자 유기산을 첨가함으로써 산화세륨 입자를 효과적으로 수중에 분산시켜 산화세륨 입자간의 응집 현상을 방지하며, 또한 고선택비를 위해 추후에 첨가되는 음이온성 유기 화합물이 산화세륨 입자 표면에 흡착되는 것을 억제하므로, 본 발명의 방법에 의해 제조된 산화세륨 수성 슬러리는 분산안정성이 우수하고, 반도체 웨이퍼의 평탄화 공정시에 피연마막의 스크래치를 저감시킬 수 있으며, 특히 STI(SHALLOW TRENCH ISOLATION)-CMP(CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING) 공정에서 높은 이산화규소/질화규소 선택적 연마가 가능하므로 연마시간이 단축된다.

대표청구항

산화세륨 수성 현탁액에 분산제와 함께 분자량이 300 이하이고 -COOH 기를 2개 이상 갖는 저분자 유기산을 첨가하는 것을 포함하는, 반도체 박막 연마용 산화세륨 수성 슬러리의 제조방법.

산화세륨 수성 현탁액에 분산제와 함께 분자량이 300 이하이고 -COOH 기를 2개 이상 갖는 저분자 유기산을 첨가하는 것을 포함하는, 반도체 박막 연마용 산화세륨 수성 슬러리의 제조방법.