초록 ▼

본 발명은 반도체 급속열처리 장치 및 급속열처리 방법에 관한 것으로, 종래 반도체 급속열처리 장치에 있어서는 웨이퍼의 산화막 두께가 일정치 않고 웨이퍼가 열적쇼크를 받게되는 등의 문제가 있었던 바, 상기와 같은 문제 발생의 원인이었던 종래 공정가스 공급수단을 개선하여, 공정가스가 다수개의 분사노즐로 이루어진 분사부를 통하여 공급되고 또한 공급되기 전에 미리 가열되도록 함으로써, 웨이퍼의 산화막 두께의 균일성을 향상시키고, 공정실 내부의 압력 균일화에 따른 공정상의 퀄리티(QUALITY)를 증가시키며, 공정실 내부의 온도를 안정화 시

본 발명은 반도체 급속열처리 장치 및 급속열처리 방법에 관한 것으로, 종래 반도체 급속열처리 장치에 있어서는 웨이퍼의 산화막 두께가 일정치 않고 웨이퍼가 열적쇼크를 받게되는 등의 문제가 있었던 바, 상기와 같은 문제 발생의 원인이었던 종래 공정가스 공급수단을 개선하여, 공정가스가 다수개의 분사노즐로 이루어진 분사부를 통하여 공급되고 또한 공급되기 전에 미리 가열되도록 함으로써, 웨이퍼의 산화막 두께의 균일성을 향상시키고, 공정실 내부의 압력 균일화에 따른 공정상의 퀄리티(QUALITY)를 증가시키며, 공정실 내부의 온도를 안정화 시킬 수 있는 등의 특징이 있다.

대표청구항 ▼

반도체 급속열처리공정이 수행되는 공정실, 상기 공정실 내부 하측에 설치되며 타켓 웨이퍼가 안착되는 지지대, 상기 지지대의 연직상방향에 설치되며 공정가스가 분사되는 분사부, 상기 분사부에 연결되어 공정가스가 공급되는 공급관, 상기 공정실 내부 상측에 설치되는 램프를 포함하여 이루어지는 반도체 급속열처리 장치에 있어서, 상기 분사부는 원형의 샤워플레이트와 상기 샤워플레이트의 중심에서 테두리까지 균일하게 형성된 다수의 분사노즐로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 급속열처리 장치.제 1항에 있어서, 상기 분사부의 외부면을 둘러싸는 히터

반도체 급속열처리공정이 수행되는 공정실, 상기 공정실 내부 하측에 설치되며 타켓 웨이퍼가 안착되는 지지대, 상기 지지대의 연직상방향에 설치되며 공정가스가 분사되는 분사부, 상기 분사부에 연결되어 공정가스가 공급되는 공급관, 상기 공정실 내부 상측에 설치되는 램프를 포함하여 이루어지는 반도체 급속열처리 장치에 있어서, 상기 분사부는 원형의 샤워플레이트와 상기 샤워플레이트의 중심에서 테두리까지 균일하게 형성된 다수의 분사노즐로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 급속열처리 장치.제 1항에 있어서, 상기 분사부의 외부면을 둘러싸는 히터가 추가로 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 급속열처리 장치.반도체 급속열처리공정이 수행되는 공정실에 웨이퍼가 반입되어 지지대에 안착되는 단계, 상기 안착된 웨이퍼를 일정한 온도로 가열하는 단계, 상기 공정실 내부로 공정가스가 공급되는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 급속열처리 방법에 있어서, 상기 공정가스가 공급되는 단계는 상기 안착된 웨이퍼의 전영역에 걸쳐서 균일한 농도로 공정가스가 공급될 수 있도록, 웨이퍼 상부면에서 원형의 샤워플레이트의 중심에서 테두리까지 균일하게 형성된 다수개의 분사노즐를 통하여 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 급속열처리 방법.제 3항에 있어서, 상기 공정가스를 공급하는 단계는 공정가스가 공급되기 전에, 공정가스가 미리 가열되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 급속열처리 방법.