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[한국특허] 금속 산화물 분말 또는 반도체 산화물 분말의 제조 방법, 산화물 분말, 고체 및 이것의 용도
금속 산화물 분말 또는 반도체 산화물 분말의 제조 방법, 산화물 분말, 고체 및 이것의 용도 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • B22F-009/10
출원번호 10-2003-7015896 (2003-12-04)
공개번호 10-2004-0011527 (2004-02-05)
등록번호 10-0676983-0000 (2007-01-25)
국제출원번호 PCT/EP2003/004780 (2003-05-07)
국제공개번호 WO2003095360 (2003-11-20)
번역문제출일자 2003-12-04
DOI http://doi.org/10.8080/1020037015896
발명자 / 주소
  • 세롤르,베르나르 / 프랑스,에프-*****페린,랑페르
  • 세롤르,미쉘르 / 프랑스,에프-*****페린,랑페르
출원인 / 주소
  • 베.체. 헤레우스 게엠베하 운트 코. 카게 / 독일연방공화국, 데-***** 하나우, 헤레우스슈트라세 **-**
대리인 / 주소
  • 김태원 (KIM, Tae Won)
  • 서울 강남구 역삼*동 ***-* ***빌딩 *층(김태원국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2003-12-29)
심사진행상태 등록결정(심사전치후)
법적상태 소멸

초록

본 발명은, 예를 들면, 인듐-주석-산화물과 같이 높은 전기전도성을 갖는 나노구조에 혼합된 산화물의 제조 방법, 및 산화물 분말, 고체 및 이것들을 스퍼터 타겟이으로서 이용하는 것이다. 상기 산화물은 액체 합금이 매우 높은 플라즈마에서 스퍼터링되는 동안 합성 반응에 의해 제조된다. 상기 합성 반응은 매우 높은 온도에서 개시되고, 어떠한 결함도 존재하지 않고 전하의 높은 이동도를 허용하는 결정 구조를 가져오도록 제어된 열적 상태가 뒤따른다.

대표청구항 ▼

금속 산화물 분말 또는 반도체 산화물 분말의 제조 방법에 있어서,산소 플라즈마에서 용융 전극으로 기능하는 금속 또는 반도체 물질의 동적이고, 연속적이며 직접적인 산화를 포함하며, 여기서 산소 입자들을 성장시키는 비행 시간은 완전한 산화 반응에 적합하며, 완전히 냉각되기 전까지 어떠한 기계적인 접촉도 이루어지지 않고, 상기 산화 공정 후에는 제어된 냉각 단계가 뒤따르는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 분말 또는 반도체 산화물 분말의 제조 방법.제 1 항에 있어서,550℃ 내지 800℃ 사이의 온도에서, 특히 600℃ 내지 700℃ 사

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [미국] Nanocrystalline materials | Parker John C., Ali Mohammed N., Lympany Byron B.
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  2. [미국] Process for making a crystalline solid-solution powder with low electrical resistance | Lupton David Francis,DEX, Schielke Jorg,DEX, Gorywoda Marek,DEX, Serole Bernard,FRX, Scholz Friedhold,DEX
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  3. [한국] 아이티오소결체의 제조방법 | 마쯔나가 오사무, 다까하따 쓰또무, 나가사끼 유이찌
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