초록 ▼

본 발명은 강유전체막의 열화를 높은 효율로 회복할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 강유전체 커패시터를 덮는 AL2O3막(6)을 스퍼터법에 의해 형성한다. AL2O3막(6)의 두께는 강유전체 커패시터에 요구되는 잔류 분극량 및 피로 내성에 따라 최적화하는 것이 바람직하며, 예컨대 10 ㎚ 내지 100 ㎚으로 한다. 계속해서, 산소 분위기에서 열처리를 행함으로써, AL2O3막(6)을 통해 산소를 PZT막(4)에 공급한다. 이 결과, PZT막(4)중의 산소 결손이 보전된다. 이 때, PZT막(4

본 발명은 강유전체막의 열화를 높은 효율로 회복할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 강유전체 커패시터를 덮는 AL2O3막(6)을 스퍼터법에 의해 형성한다. AL2O3막(6)의 두께는 강유전체 커패시터에 요구되는 잔류 분극량 및 피로 내성에 따라 최적화하는 것이 바람직하며, 예컨대 10 ㎚ 내지 100 ㎚으로 한다. 계속해서, 산소 분위기에서 열처리를 행함으로써, AL2O3막(6)을 통해 산소를 PZT막(4)에 공급한다. 이 결과, PZT막(4)중의 산소 결손이 보전된다. 이 때, PZT막(4)중의 PB의 증발은 AL2O3막(6)에 의해 억제되며, PB량 감소에 민감한 피로 내성의 열화가 억제된다. 다음에, 후 공정에서의 열화 요인에 대한 제2 보호막으로서 AL2O3막(7)을 스퍼터법에 의해 형성한다. AL2O3막(7)의 두께는 그 후의 배선 공정에 있어서의 열화 요인으로부터 강유전체 커패시터를 충분히 보호할 수 있는 두께로 하는 것이 바람직하다.

대표청구항 ▼

하부 전극막, 강유전체막 및 상부 전극막을 형성하는 공정과, 상기 상부 전극막, 강유전체막 및 하부 전극막을 각각 패터닝하는 공정과, 상기 상부 전극막, 강유전체막 및 하부 전극막을 덮는 제1 보호막을 형성하는 공정과, 산소를 함유하는 분위기 속에서 어닐링을 행함으로써, 상기 제1 보호막을 통해 상기 강유전체막에 산소를 공급하는 공정과, 상기 제1 보호막을 덮는 제2 보호막을 형성하는 공정 을 포함하

하부 전극막, 강유전체막 및 상부 전극막을 형성하는 공정과, 상기 상부 전극막, 강유전체막 및 하부 전극막을 각각 패터닝하는 공정과, 상기 상부 전극막, 강유전체막 및 하부 전극막을 덮는 제1 보호막을 형성하는 공정과, 산소를 함유하는 분위기 속에서 어닐링을 행함으로써, 상기 제1 보호막을 통해 상기 강유전체막에 산소를 공급하는 공정과, 상기 제1 보호막을 덮는 제2 보호막을 형성하는 공정 을 포함하며, 상기 제1 보호막의 두께는 상기 강유전체막의 구성 원소가 실질적으로 투과하지 않고, 산소가 투과하는 두께로 하며, 상기 제2 보호막의 두께는 수소 및 수분이 실질적으로 투과하지 않는 두께로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.