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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0130061 (2020-10-08) | |
공개번호 | 10-2022-0046858 (2022-04-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200130061 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명의 다양한 실시예에 따른 박막 태양전지 광흡수층의 제조 방법은, 후면 전극 상에 Zn 전구체, Cu 전구체 및 Sn 전구체를 적층하여 광흡수층의 금속 전구체를 형성하는 단계; 상기 금속 전구체 상에 탈아연방지막을 형성하는 단계; 및 상기 금속 전구체 및 탈아연방지막을 열처리 하는 단계를 포함할 수 있다.
후면 전극 상에 Zn 전구체, Cu 전구체 및 Sn 전구체를 적층하여 광흡수층의 금속 전구체를 형성하는 단계;상기 금속 전구체 상에 탈아연방지막을 형성하는 단계; 및상기 금속 전구체 및 탈아연방지막을 열처리 하는 단계를 포함하는 박막 태양전지 광흡수층의 제조 방법.
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