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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2004-0031358 (2004-05-04) |
공개번호 | 10-2005-0063650 (2005-06-28) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040031358 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2004-05-04) |
심사진행상태 | 취하(등록결정전 취하서제출) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 강유전체막의 열화를 높은 효율로 회복할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 강유전체 커패시터를 덮는 AL2O3막(6)을 스퍼터법에 의해 형성한다. AL2O3막(6)의 두께는 강유전체 커패시터에 요구되는 잔류 분극량 및 피로 내성에 따라 최적화하는 것이 바람직하며, 예컨대 10 ㎚ 내지 100 ㎚으로 한다. 계속해서, 산소 분위기에서 열처리를 행함으로써, AL2O3막(6)을 통해 산소를 PZT막(4)에 공급한다. 이 결과, PZT막(4)중의 산소 결손이 보전된다. 이 때, PZT막(4
하부 전극막, 강유전체막 및 상부 전극막을 형성하는 공정과, 상기 상부 전극막, 강유전체막 및 하부 전극막을 각각 패터닝하는 공정과, 상기 상부 전극막, 강유전체막 및 하부 전극막을 덮는 제1 보호막을 형성하는 공정과, 산소를 함유하는 분위기 속에서 어닐링을 행함으로써, 상기 제1 보호막을 통해 상기 강유전체막에 산소를 공급하는 공정과, 상기 제1 보호막을 덮는 제2 보호막을 형성하는 공정 을 포함하
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