[특허]반도체 소자의 콘택홀 형성 방법

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반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/28
출원번호	10-2004-0042312 (2004-06-09)
공개번호	10-2005-0117108 (2005-12-14)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020040042312
발명자 / 주소	최봉호 / 서울특별시 서초구 반포본동 반포아파트 -*
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	특허법인 신성 (Shinsung Patent Firm) 서울 송파구 가락동*-번지 타워 *호
심사청구여부	있음 (2008-12-30)
심사진행상태	거절결정(일반)
법적상태	거절

초록 ▼

본 발명은, 콘택 저면의 임계치수를 충분히 확보하여 콘택 저항을 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 전도막이 형성된 기판 상에 이웃하는 복수의 도전패턴을 형성하는 단계; 상기 도전패턴이 형성된 프로파일을 따라 식각정지막을 형성하는 단계; 상기 식각정지막 상에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간절연막 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 식각마스크로 상기 층간절연막을 식각하여 상기 도전패턴 사이에서 상기 식각정지막을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 콘택홀 저면에서 잔류하는 상기 층간절연막을 제거하기 위해 습식 식각하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 프로파일을 따라 콘택 스페이서를 형성하는 단계; 상기 콘택홀 저면에서 상기 콘택 스페이서와 상기 식각정지막을 제거하여 상기 전도막을 노출시키는 단계; 및 노출된 상기 전도막 표면을 세정하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

전도막이 형성된 기판 상에 이웃하는 복수의 도전패턴을 형성하는 단계; 상기 도전패턴이 형성된 프로파일을 따라 식각정지막을 형성하는 단계; 상기 식각정지막 상에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 층간절연막 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 식각마스크로 상기 층간절연막을 식각하여 상기 도전패턴 사이에서 상기 식각정지막을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 콘택홀 저면에서 잔류하는 상기 층간절연막을 제거하기 위해 습식 식각하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 프로파일을 따라 콘택 스페이서를 형성하는 단계; 상기 콘택홀 저면에서 상기 콘택 스페이서와 상기 식각정지막을 제거하여 상기 전도막을 노출시키는 단계; 및 노출된 상기 전도막 표면을 세정하는 단계 를 포함하는 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법.

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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