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반도체 소자의 저온 건식 식각 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/30
출원번호 10-1993-0008076 (1993-05-11)
공개번호 10-1994-0027080 (1994-12-10)
DOI http://doi.org/10.8080/1019930008076
발명자 / 주소
  • 강효상 / 서울특별시서대문구충정로*가***-*
  • 최봉호 / 서울특별시송파구잠실*동시영아파트***동***호
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 특허법인 신성 (Shinsung Patent Firm)
  • 서울 송파구 가락동 **-*번지 **타워 ***호
심사청구여부 있음 (1993-05-11)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록 ▼

본 발명은 반도체 소자 제조 공정의 건식 식각 방법에 있어서, 웨이퍼(4)를 저온으로 유지하면서 단일 가스 또는 폴리머(Polymer)을 형성하지않는 2개이상의 플라즈마 가스를 이용해 비등방성 식각을 하는 것을 특징으로 하는 저온 건식식각 방법으로서, 상기 웨이퍼를 -15℃이하로 유지시켜 패턴 측벽이 식각되는 언더컷(Undercut)을 방지하므로 폴리머(Polymer) 가스를 사용할 필요가 없기 때문에 패턴 측벽에 폴리머가 형성되는 것을 방지하여 웨이퍼 오염 및 로딩(Loading) 효과를 최대한 줄일수 있으며 또한 공정단계별로 동

대표청구항

반도체 소자 제조 공정의 건식 식각 방법에 있어서, 웨이퍼를 -15℃이하로 유지하면서 단일 가스 또는 폴리머(Polymer)를 형성하지않는 2개이상의 플라즈마 가스를 이용해 비등방성 식각을 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 저온 건식식각 방법.

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