초록

본 발명은 콘택 식각 장벽용 감광막 패턴과 패턴 사이에 존재하는 감광막 찌꺼기를 별도의 장비를 사용하지않고 이후에 사용해야 할 절연막 식각 장비에서 인-시취(in-situ)로 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 식각 방법에 관한 것으로, 공정의 단순화 및 이에 따른 불순물 감소록 소자의 생산성향상 및 소자 제조의 수율을 향상시키는 효과가 있다.

대표청구항

반도체 소자의 콘택 식각 방법에 있어서, 절연막(21)상에 식각장벽용 감광막(22)패턴을 형성하는 단계; 절연막 식각 장비에서 오픈 부위의 절연막(21)을 전체두께중 일부를 식각하되 절연막 식각 가스에 산소(O2)를 첨부하여 감광막(22)패턴과 패턴 사이에 잔류하는 감광막 찌꺼기(25)를 동시에 제거하는 단계; 상기 절연막 식각 장비에서 절연막 식각 가스를 사용하여 노출된 절연막(21)전체를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 식각 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.

반도체 소자의 콘택 식각 방법에 있어서, 절연막(21)상에 식각장벽용 감광막(22)패턴을 형성하는 단계; 절연막 식각 장비에서 오픈 부위의 절연막(21)을 전체두께중 일부를 식각하되 절연막 식각 가스에 산소(O2)를 첨부하여 감광막(22)패턴과 패턴 사이에 잔류하는 감광막 찌꺼기(25)를 동시에 제거하는 단계; 상기 절연막 식각 장비에서 절연막 식각 가스를 사용하여 노출된 절연막(21)전체를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 식각 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.