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[한국특허] 화학기계적 연마용 세리아 슬러리 및 그 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-003/14
출원번호 10-2004-0071216 (2004-09-07)
공개번호 10-2006-0022408 (2006-03-10)
등록번호 10-0665300-0000 (2006-12-28)
DOI http://doi.org/10.8080/1020040071216
발명자 / 주소
  • 김대형 / 경기도 안성시 낙원동 서광아파트 ***호
  • 홍석민 / 경기도 안성시 공도읍 양기리 *** 송정아파트 ***-***
  • 전재현 / 경상북도 김천시 남산동 ***-*
  • 김용국 / 서울특별시 구로구 구로동 신도림현대아파트 ***-***
  • 박재근 / 경기도 성남시 분당구 구미동 무지개마을 건영아파트 ****-****
  • 백운규 / 서울특별시 강남구 대치동 선경아파트 **동 ***호
출원인 / 주소
  • 주식회사 케이씨텍 / 경기 안성시 미양면 계륵리 ***-*
  • 학교법인 한양학원 / 서울 성동구 행당*동 **
대리인 / 주소
  • 남승희 (Nam Seung Hee)
  • 서울 서초구 서초동 ****-* 서전빌딩**층(아인특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2004-09-07)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 256 메가 디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 연마 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적절하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 CMP

대표청구항

연마 입자를 포함하는 연마용 슬러리에 있어서, 상기 연마 입자는 효율이 다른 밀링기를 이용하여 적어도 2 단계 이상 밀링을 수행하며 최종 단계 밀링 전에 연마 입자의 입자 크기가 50㎛ 이하의 범위를 가지는 연마용 슬러리.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 금속용 연마제 | 우에다가즈마사, 다까시마마사유끼

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] CMP 슬러리용 금속산화물 입자의 제조방법 | 황진명, 김은옥, 우성준, 이우진, 이재학
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