초록 ▼

본 발명은 텅스텐-화학적 기계적 연마(CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, CMP) 에 유용한 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 콜로이달 실리카(COLLOIDAL SILICA)를 주제로 한 텅스텐-CMP 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것으로 본 발명의 텅스텐-CMP 슬러리는 철 또는 1가 이상의 금속이온을 환원법 또는 가수분해법, 함침법, 침전법 등에 의해 금속 입자의 형태로 변환시켜 콜로이달 실리카 입자에 화학적으로 흡착시킨 것을 특징으로 하는 텅스텐-CMP에 유용한 슬러리 및 그 제조방법에

본 발명은 텅스텐-화학적 기계적 연마(CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, CMP) 에 유용한 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 콜로이달 실리카(COLLOIDAL SILICA)를 주제로 한 텅스텐-CMP 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것으로 본 발명의 텅스텐-CMP 슬러리는 철 또는 1가 이상의 금속이온을 환원법 또는 가수분해법, 함침법, 침전법 등에 의해 금속 입자의 형태로 변환시켜 콜로이달 실리카 입자에 화학적으로 흡착시킨 것을 특징으로 하는 텅스텐-CMP에 유용한 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조되어진 텅스텐-CMP 슬러리는 균일한 입도 분포도를 나타내고, 종래의 텅스텐-CMP 반도체 슬러리에 비해 금속이온으로 분포되어 있는 기존 연마제보다는 금속 입자가 화학적으로 흡착되어 있는 산화제촉매 및 연마제로서 연마율의 효율이 더 높게 나타날 뿐만 아니라 저장성에 있어서도 분산제 또는 분산안정제가 포함되지 않는 상태에서도 일년 이상이 경과하여도 응집되어 침전되는 현상이 일어나지 않는 장기간의 안정성을 보여준다. 그리고 퓸드 실리카가 분산을 안정화시키기 위해 첨가하는 계면활성제 및 아민계의 화합물 등과 같은 환경유해물질들이 다량 포함되어 있지만 본 발명의 콜로이달 실리카에는 상기와 같은 화학물질들이 포함되어 있지 않기 때문에 친환경적인 것이 장점이다.

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