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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2004-0117202 (2004-12-30) |
공개번호 | 10-2006-0077684 (2006-07-05) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040117202 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 플라즈마 식각 챔버 및 챔버 내벽 코팅 방법에 관한 것으로, 플라즈마 식각 챔버 내벽을 TIO2 층으로 코팅함으로써 플라즈마 식각 과정에서 발생되어 챔버 내벽에 증착되는 폴리머가 TIO2 광촉매 작용에 의해 분해하여 추가적인 세정 공정이 필요없게 된다. 따라서, 제조 비용이 감소되며, 상기 플라즈마 식각 진행시 폴리머 증착에 대한 문제가 없어 식각 특성이 안정된 챔버 상태를 유지할 수 있으므로 반도체 소자의 신뢰성이 향상된다. 또한, 상기 폴리머에 의한 파티클 발생을 방지하여 소자의 수율이 향상되는 기술을 나타낸다.
웨이퍼, ESC(ELECTRO STATIC CHUCK) 및 전극을 구비한 플라즈마 식각 공정에 사용되는 챔버에 있어서, 상기 챔버의 내벽에 코팅된 TIO2층을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 챔버.
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