[특허]ＭＯＳＦＥＴ 반도체 소자용 고압수소열처리 방법

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ＭＯＳＦＥＴ 반도체 소자용 고압수소열처리 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/336 H01L-021/314 H01L-021/324
출원번호	10-2005-0019192 (2005-03-08)
공개번호	10-2006-0098864 (2006-09-19)
등록번호	10-0715860-0000 (2007-05-01)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020050019192
발명자 / 주소	황현상 / 광주 북구 운암동 나산 아파트 동 *호
출원인 / 주소	광주과학기술원 / 광주 북구 오룡동 *번지
대리인 / 주소	황이남 (HWANG, E Nam) 서울 서초구 양재동 - 산기협빌딩 *층(아시아나국제특허법률사무소)
심사청구여부	있음 (2005-03-08)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

본 발명은 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법에 관한 것으로써, 고압 수소 처리를 적용한 고유전율 절연막 소자에 과포화로 존재하는 수소를 효과적으로 제거함으로써, 소자의 신뢰성을 개선하는 것을 특징으로 한다.즉, 계면 전하를 줄여주기 위해서는 고농도, 고압의 수소 처리가 필수적이지만, 이 경우 수소가 고유전율 절연막의 계면과 벌크에 같이 함유되어서, 결과적으로 소자의 초기 동작특성은 계면에 존재하는 수소의 계면전하 패시베이션(PASSIVATION)으로 인해 개선되나, 소자의 신뢰성은 절연막 BULK에 남아있는 수소로 인해 악화되는 문제점이 발생한다. 따라서 본 발명에서는 이를 해결하기 위하여, 고압의 수소 처리 후, 후속열처리를 비활성 기체 분위기에서 장시간 실시함으로써, 벌크에 남아있는 수소분자를 효과적으로 제거하는 것을 특징으로 한다.

대표청구항

MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법에 있어서, 상기 반도체 소자를 두 단계의 다른 분위기 가스의 열처리 공정을 적용하여, 전기적 특성을 개선하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 반도체 소자용 고압수소열처리 방법.

발명자의 다른 특허 :

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[한국] 고압 수소 열처리를 이용한 고유전율 절연막 제조공정 | 황현상
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[일본] MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE | KATO JURI, TERAJIMA YOSHIYUKI
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[한국] 반도체 소자의 제조 방법 | 심현준, 박재영, 이선영
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[한국] 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 최창환, 임동환
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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