초록 ▼

본 발명은 반도체 제조중 일정 온도하에서 웨이퍼를 수소를 함유하는 혼합 기체에 노출시켜 열처리함으로써 소자 특성을 안정화시키는 수소 어닐링 방법과 이 방법을 안전하게 실시할 수 있는 장치에 관한 것이다.종래의 분위기 조성용 가스에서는 수소의 낮은 분압과 질소 가스에 의한 반응 억제 효과 때문에 충분한 수소 원자를 공급할 수 없고 실리콘 원자의 안정화가 어려웠다. 따라서 화재 및 안전 사고의 방지 장치와 실리콘 계면의 안정한 원자 결합이 요구된다.반도체 소자의 제조 공정중 금속막의 증착이 완료된 웨이퍼를 고주파 가열 코일이 장착된 가

본 발명은 반도체 제조중 일정 온도하에서 웨이퍼를 수소를 함유하는 혼합 기체에 노출시켜 열처리함으로써 소자 특성을 안정화시키는 수소 어닐링 방법과 이 방법을 안전하게 실시할 수 있는 장치에 관한 것이다.종래의 분위기 조성용 가스에서는 수소의 낮은 분압과 질소 가스에 의한 반응 억제 효과 때문에 충분한 수소 원자를 공급할 수 없고 실리콘 원자의 안정화가 어려웠다. 따라서 화재 및 안전 사고의 방지 장치와 실리콘 계면의 안정한 원자 결합이 요구된다.반도체 소자의 제조 공정중 금속막의 증착이 완료된 웨이퍼를 고주파 가열 코일이 장착된 가열로에 장입한 상태에서 소정의 가스 분위기하에서 웨이퍼를 어닐링하는 본 방법은,일차로 가열로의 내부를 질소 가스로 포화시키는 단계,미리 예정된 온도로 가열된 가열로 안에 순수한 수소 가스를 주입하여 수소 분위기하에서 웨이퍼를 어닐링하는 단계,가열로 내에 질소 가스를 공급하여 수소 가스를 가열로 밖으로 서서히 배출시키면서 점화 수단으로 미리 연소시키는 단계로 이루어 진다.

대표청구항

반도체 소자의 제조공정중 금속막의 증착이 완료된 웨이퍼를 고주파가열코일이 장착된 가열로에 장입한 상태에서 소정의가스 분위기하에서 상기한 웨이퍼를 어닐링하도록 한 방법에 있어서, 일차로 가열로의 내부를 질소가스로 포화시키는 단계와, 미리 예정된 온도로 가열된 가열로안에 순수한 수소가스를 주입하여 수소분위기하에서 상기한 웨이퍼를 어닐링 하는 단계와, 연이어 상기한 가열로내에 질소가스를 공급하여 수소가스를 가열로 밖으로 서서히 배출시키면서 점화수단으로 미리 연소시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소 어닐링 방법.

반도체 소자의 제조공정중 금속막의 증착이 완료된 웨이퍼를 고주파가열코일이 장착된 가열로에 장입한 상태에서 소정의가스 분위기하에서 상기한 웨이퍼를 어닐링하도록 한 방법에 있어서, 일차로 가열로의 내부를 질소가스로 포화시키는 단계와, 미리 예정된 온도로 가열된 가열로안에 순수한 수소가스를 주입하여 수소분위기하에서 상기한 웨이퍼를 어닐링 하는 단계와, 연이어 상기한 가열로내에 질소가스를 공급하여 수소가스를 가열로 밖으로 서서히 배출시키면서 점화수단으로 미리 연소시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소 어닐링 방법.